多波长激光发射光子集成技术.pdfVIP

2011 年 第 56 卷 第 25 期：2119 ~ 2126 《中国科学》杂志社 评 述 SCIENCE CHINA PRESS 多波长激光发射光子集成技术 ① ② ③ ③ ④ ③ ③ ④ ③* 陈向飞 , 刘文 , 安俊明 , 刘宇 , 徐坤 , 王欣 , 刘建国 , 纪越峰 , 祝宁华 ① 南京大学微结构国家实验室, 南京 210093; ② 武汉邮电科学研究院光纤通信技术和网络国家重点实验室(筹), 武汉 430074; ③ 中国科学院半导体研究所, 北京 100083; ④ 北京邮电大学信息光子学与光通信研究院, 北京 100876 * 联系人, E-mail: nhzhu@ 2011-02-24 收稿, 2011-07-15 接受 国家高技术研究发展计划资助项目(2011AA0103) 摘要 针对光子集成芯片设计和制造中所面临的难点, 对多波长激光发射光子集成芯片中的 关键词 多波长激光器阵列、单片集成, 芯片模块化耦合封装等核心技术进行了阐述. 利用重构等效啁 光子集成 啾技术, 二次压印模板技术, 大幅度放宽光子集成芯片对制备工艺中的苛刻要求, 降低了芯片 激光器 制造成本; 通过端对接耦合技术和铟磷基阵列波导光栅技术, 解决了有源无源波导的单片集成 多波长 问题; 建立了多端口分析模型, 实现了多参量动态特性的测试, 提出了寄生参数补偿的封装技 术, 大幅度提升了芯片性能. 光子集成(photonic integrated circuits, PIC)是未 来实现大容量、低功耗光网络所必须依赖的技术, 并 行多波长激光发射光子集成芯片将成为高速率数据 传输的核心, 大规模光子集成将在未来担负起与集 成电路类似的重任, 因此已成为国内外研究的热点 和重点. 从2004 年至今, 美国、欧洲和日本都立项开 展了与光子集成技术相关的大型研究项目, 其中包 图1 多波长激光发射光子集成芯片功能结构示意图 括美国的IRIS, LASOR, 欧洲的EuroPIC, PLATON, HELIOS 和爱尔兰的PiFAS 等. 在光传输领域, 目前 结构的光电子器件集成到单一芯片上仍是一项极具 全球PIC 技术的先驱—美国Infinera 公司已经率先推 挑战性的工作, 面临着许多科学和技术问题, 例如, 出基于PIC 的WDM 传输设备, 并完成了上万套设备 不同功能微纳结构制备工艺兼容性问题、多波长激光 的商用应用, 其核心 PIC 芯片实现了超过 50 多个分 发射与 ITU-T 规范波长对准与稳定技术, 芯片内部 立功能器件的单片集成. 微波和光波相互作用引发的激光模式串扰问题等. 多波长激光发射光子集成芯片的功能结构如图 多波长发射光子集成芯片中光探测器阵列、光放 1 所示. 集成芯片可以分解为多波长激光器阵列、调 大器SOA 、合路器AWG 相对比较成熟, 本文不再赘 制器阵列、监测光功率的光探测器阵列、用作功率均 述. 然而多波长激光器阵列与单信道激光器存在很 衡的光放大器(SOA)阵列和 WDM 合路器(常用为阵 大的区别, 有很多关键问题亟需解决. 例如要实现 列波导光栅(AWG))五个部分. 尽管各个单元器件技 100 GHz 的波长间隔, 光栅周期改变量仅为0.12 nm, 术都已经成熟, 实现了商业化, 但是将具有不同功能 对于这样苛刻的工艺要求, 采用传统的全息曝光技 英文版见: Chen X F, Liu W, An J M, et