第三章光电检测详解.ppt

* 第三章结束 * 光电倍增管（photomultiplier tube, PMT） 石英套 光束 1个光子产生106~107个电子 栅极，Grill 阳极 屏蔽 光电倍增管示意图 共有9个打拿极(dynatron)，所加直流电压共为90?10V * 对光辐射探测方法比较多，一般来说，根据在探测器上所产生的物理效应，分成光热效应、光电效应和光压效应。光压效应所对应的探测器应用相对来说比较少。下面我们重点介绍下光电效应和光热效应。 * 暗电阻和暗电流 光敏电阻在室温条件下，在全暗后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时流过的电流，称为暗电流。 (b) 亮电阻和亮电流 光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。 (c) 光电流 亮电流与暗电流之差，称为光电流。光敏电阻的暗电阻越大，而亮电阻越小，则性能越好。 一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好， 此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级， 亮电阻值在几千欧以下。 * * * * * 暗电阻和暗电流 光敏电阻在室温条件下，在全暗后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时流过的电流，称为暗电流。 亮电阻和亮电流 光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。 (c) 光电流 亮电流与暗电流之差，称为光电流。光敏电阻的暗电阻越大，而亮电阻越小，则性能越好。 * 一定光照下，光敏电阻的光电流与所加电压关系即为伏安特性。 光敏电阻为一纯电阻，符合欧姆定律，曲线为直线。但对大多数半导体，电场强度超过104 V/cm时，不再遵守欧姆定律。而CdS在100 V时就不成线性了。 * * 光敏电阻为多数载流子导电的光电器件，具有复杂的温度特性。不同材料的光敏电阻温度特性不同。书25页中图3-5中为CdS和CdSe光敏电阻不同照度下的温度特性曲线。可以看出温度升高可以导致材料光电导率的下降。实际中往往采用控制光敏电阻工作的温度的办法提高工作稳定性。 换句话说，温度的变化，引起温度噪声，导致光敏电阻灵敏度、光照特性、响应率等都发生变化。为了提高灵敏度，必须采用冷却装置，尤其是杂质型半导体对长波长红外辐射检测领域更为重要。 * * * * * * * * （2） 半导体电阻材料-负温度系数热敏电阻(NTR) 半导体类的多为金属氧化物，例如氧化锰、氧化镍、氧化钴等。 由半导体材料制成的测辐射热计：半导体材料对光的吸收除了直接产生光生载流子的本征吸收和杂质吸收外，还有不直接产生载流子的晶格吸收和自由电子吸收等，并且不同程度地转变为热能，引起晶格振动的加剧，器件温度的上升，即器件的电阻值发生变化。其中部分电子能够从价带跃迁到导带成为自由电子，使电阻减小，电阻温度系数是负的。又因为各种波长的辐射都能被材料吸收，只是吸收不同波长的辐射，晶格振动加剧的程度不同而已,对温升都有贡献，所以它的光谱响应特性基本上与波长无关。 * 图示分别为半导体和金属（白金）的温度特性曲线。白金的电阻温度系数为正值，大约为0.37%左右；半导体材料热敏电阻的温度系数为负值，大约为-3%～-6%，约为白金的10倍以上。所以热敏电阻探测器常用半导体材料制作而很少采用贵重的金属. * 金属热敏电阻 半导体热敏电阻 电阻温度系数多为正 电阻温度系数多为负 电阻温度系数绝对值小 电阻温度系数绝对值大，比一般金属电阻大10～100倍 电阻变化与温度变化的关系基本上是线性的 电阻变化与温度变化的关系基本上是非线性的 耐高温能力和稳定性较强 耐高温能力和稳定性较差 多用于温度的模拟测量 多用于辐射探测。例如防盗报警、防火系统、热辐射体搜索和跟踪等。 由热敏材料制成的厚度为0.01mm左右的薄片电阻粘合在导热能力高的绝缘衬底上，电阻体两端蒸发金属电极以便与外电路连接； 再把衬底同一个热容很大、导热性能良好的金属相连构成热敏电阻。（使用热特性不同的衬底，可使探测器的时间常量由大约1ms变为50ms） 红外辐射通过探测窗口投射到热敏元件上，引起元件的电阻变化。为了提高热敏元件接收辐射的能力（提高吸收系数），常将热敏元件的表面进行黑化处理。 半导体热敏电阻结构 * * * 热电偶是工业上最常用的温度检测元件之一，热电偶工作原理是基于赛贝克(seeback)效应,即两种不同成分的导体两端连接成回路，如两连接端温度不同，则在回路内产生热电流的物理现象。 热电偶的优点： ①测量精度高。因热电偶直接与被测对象接触，不受中间介质的影响。 ②测量范围广。常用的热电偶从-50~+1600℃均可测量，某些特殊热电偶最低可测到-269℃（如金铁镍铬），最高可达+2800℃（如钨-铼）。