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Rp I 为元件的电阻温度系数 为霍尔元件灵敏度温度系数 输入回路并联电阻 合理选择负载电阻 另外由于霍尔元件的不等位电势U0也是温度的函数，所以除了设法减小U0外，还要补偿温度的影响，此可采用桥路补偿法见图示。 其中Rp用来补偿U0，霍尔输出端串入温度补偿电桥，Rt为热敏电阻（负温度系数），温度变化时桥路产生输出电压，此时霍尔电势与桥路输出电压相加作为传感器输出。此补偿方法在±40℃范围内效果很好。 恒压源和输入回路串联电阻 霍尔元件采用恒压源供电，且霍尔输出在开路状态下工作时，可采用在输入回路中串联电阻的方法来补偿温度误差。 采用温度补偿元件 热敏电阻（负温度系数） 电阻丝（正温度系数） 图(a) (b) (c)中霍尔元件材料为锑化铟，对应的温度系数为负；而（d）为正温度系数的霍尔材料，采用负温度系数的热敏电阻进行补偿。 5.霍尔传感器的应用 ①UH=f(B) (I恒定)可用于测量恒定或交变 磁场； ②UH=f(I) (B恒定)可用于测量电流； ③UH=f(B.I) 可作为乘法器、功率计应用； ④霍尔式位移传感器 保持霍尔元件的控制电流恒定，使霍尔元件在一个均匀的梯度磁场中沿X方向移动，可构成霍尔式位移传感器。 ——位移传感器灵敏度 对上式积分有： 可见，磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度越好。 6、磁敏二极管和磁敏三极管 磁敏二极管、三极管是继霍耳元件和磁敏电阻之后迅速发展起来的新型磁电转换元件。它们具有磁灵敏度高（磁灵敏度比霍耳元件高数百甚至数千倍）；能识别磁场的极性；体积小、电路简单等特点，因而正日益得到重视；并在检测、控制等方面得到普遍应用。 （1）磁敏二极管 磁敏二极管结构 与普通二极管的区别： 普通二极管PN结的基区很短，以避免载流子在基区里复合，磁敏二级管的PN结却有很长的基区，大于载流子的扩散长度，但基区是由接近本征半导体的高阻材料构成的。 以2ACM—1A为例，该磁敏二级管的结构是P+—i—N+型。在本征导电高纯度锗的两端，用合金法制成高掺杂的P区和N区，并在本征区（i区）的一侧设置高复合区（r区），与r 区相对的另一侧保持光滑无复合表面，这就构成了磁敏二极管的管芯。其符号含义，结构和电路符号如图。 电流 (a)结构 + H+ H- N+区 p+区 i区 r区 (b)电路符号 磁敏二极管的结构和电路符号 - 磁敏二极管的工作原理 当磁敏二极管的P区接电源正极，N区接电源负极，即外加正偏压时，随着磁敏二极管所受磁场的变化，流过二极管的电流也在变化，即二极管等效电阻随着磁场的不同而不同。 为什么磁敏二极管会有这种特性呢? 下面作一下分析。 P N P N P N H=0 H+ H- → → → ← ← ← 电流 电流 电流 （a） （b） （c） 磁敏二极管的工作原理示意图 i i i 电子 孔穴 复合区 结论：随着磁场大小和方向的变化，可产生正负输出电压的变化、特别是在较弱的磁场作用下，可获得较大的输出电压。若r区和r区之外的复合能力之差越大，磁敏二极管的灵敏度就越高。 磁敏二极管反向偏置时，则在 r区仅流过很微小的电流，显得几乎与磁场无关。因而二极管两端电压不会因受到磁场作用而有任何改变。 主要特性： ①伏安特性 在给定磁场情况下，磁敏二极管两端正向偏压和通过它的电流的关系曲线。 ②磁电特性给定条件下，磁敏二极管输出电压变化量与外加磁场的间的变化关系。 弱磁场（小于0.1T）下，输出电压与磁场强度成正比，并随磁场强度的增加趋于饱和。国产磁敏二极管2ACM的磁灵敏度为10v/T。 磁敏二极管的磁电特性曲线 B / 0.1T 1.0 2.0 3.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 B / 0.1T 2.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 1.0 ? 3kΩ R E E=12V（18V） Td=20℃ (a)单个使用 (b)互补使用 ΔU/V ΔU/V 四种基本电路中，差分接法温度补偿好，互补接法输出对称性好，而桥式接法温度特性、对称性、灵敏度都很好。已有将桥式接法集成化构成集成磁敏传感器。 ③温度特性 磁敏二极管受温度影响较大，特别当温度升高时，电流急增，电压减小，磁灵敏度下降。 ΔU/V T/℃ 0 20 40 0.2 0.4 0.6 0