低能质子束脉冲踢束器的物理设计.pdfVIP

第25卷第11期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．25，No．11 2013年11月HIGHPOWERLASERANDPARTICI。EBEAMS Nov．，2013 文章编号： 1001—4322(2013)11—2999—05 低能质子束脉冲踢束器的物理设计+ 张 篁1,2， 朱 隽1， 任海涛2， 夏连胜1， 章林文1， 彭士香2， 刘克新z (1．中国工程物理研究院流体物理研究所，四川绵阳621900；2．北京大学物理学院，北京100871) 摘 要： 电子回旋共振(ECR)质子源产生的脉冲质子束脉宽通常在ms或亚ms量级，高梯度加速结构 要求注入的质子柬脉宽为100 ns或更短，需要一个脉冲踢束器将大部分不需要的束流踢开，留下所需的短脉 冲质子束。设计的踢束器采用静电偏转方法，针对在研ECR质子源的束流参数，设计了脉冲踢柬器的结构尺 寸，使用ANSYS软件计算了踢束器的静电场分布情况，利用软件内置的CMATRIX宏提取r结构电容的数 据，给出了对脉冲踢束电源的参数要求，讨论了踢束脉冲上升沿和产生的束流脉冲上升沿的计心火系。 关键词： 脉冲踢束器； 质子源； 静电场计算； 电容计算； 脉冲电源 A HPI．1l∞Il 中图分类号：TLS03．3；TN249文献标志码： doi：10．3788 32511．2999 质子注入器是质子加速器的重要组成部分，其性能参数直接影响整机能够达刮的土I￡终指标。ECR质子源 需的脉冲结构常常不匹配，大量质子得不到有效加速会丢失在后加速段中，降低加速效率且增加辐射量。因此 需要对质子源输出束流的脉冲结构进行调制，这种结构通常叫做斩束器(chopper)或踢束器(kicker)。 有的加速器把踢束器放置在射频四极子(RFQ)加速结构之后，通常采用行波静电踢束结构Ⅲ或者射频踢 静电类型[4’71；第二类是静电场结合静磁场类型，其中有的电场磁场独立工作一8，有的使川电场和磁场正交联合 角度，质子束在漂移一段距离后就能产生足够的偏轴量，束流直接打在传输管道_L特定I x．域损失掉，或者是超 出了后加速传输结构的接受相图在后续过程中损失掉。磁合金感应腔是一种采用磁合金作为负载的同轴谐振 将不需要的质子束去掉。 目前北京大学在研的一台电子回旋共振(ECR)质子源将产生4()k-V．10～50 mA的质子束流，束斑10～ 20mm。脉宽500肛s．它将作为高梯度加速结构的质子源使用。需要配套i殳汁一个踢束器将质子源产生的长脉 冲束流中的大部分踢开，留下100 ns或更短的质子束脉冲注入后加速结构，否则大量无用的质子束进入后加 速结构会对高梯度绝缘组件造成不利影响。因为高梯度加速结构追求的就是轴向尺寸小，在完成踢束的同时 还要求整个踢束器系统尽量紧凑，静电场加磁场的方式结构不容易做小，磁合金感应腔本身尺寸不大，但是它 需要配合RFQ使用且有功耗较大和噪声等问题，所以选择静电结构进行设计。 1踢束器结构设计 图1是静电踢束器的示意图，两个电极之间建立一 个静电偏转场，通过的质子束在横向产生一个偏移z，同 时获得横向偏角工7，质子通过漂移长度L㈨后总的偏移 等于z+L蛳z’。设电极间电压为V、电极长度L、电极 间距d，漂移距离为L洲，假定电场为硬边分布(不考虑 边缘场效应)，质子在轴向上匀速运动，在横向上匀加速 Schematicof 运动，容易得到质子的横向偏移如式(1)所示(q代表质 Fig．1 diagramelectrostatickicker 图1 静电踢束器示意图 子电荷，E代表质