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LOGO LOGO 电力晶体管GTR电力场效应晶体管MOSEFT Contents GTR的结构与工作原理 GTR的基本特性 2 GTR的二次击穿现象与安全工作区 3 Contents 4 MOSFET的静态特性 5 MOSFET的动态特性 6 MOSFET的结构工作原理 GTR的结构与工作原理 与普通的双极结型晶体管（BJT）基本原理是一样的。 采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，同GTO一样采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。 主要特性是耐压高（N漂移区， 电导调制效应：P区往漂移区注入大量少子形成电导调制效应，减小通态电压和损耗 ）、电流大、(垂直导电结构)开关特性好。 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 GTR的结构与工作原理 导通条件：发射结正偏，集电结反偏； 忽略漏电流Iceo，集电极电流ic与基极电流ib之比为 单管GTR的? 值比处理信息用的小功率晶体管小得多，采用达林顿接法可以有效地增大电流增益。 空穴流 电 子 流 c) E b E c i b i c = b i b i e =(1+ b ) i b GTR的基本特性 截止区 放大区 饱和区 O I c i b3 i b2 i b1 i b1 i b2 i b3 U ce 静态特性 在共发射极接法时的典型输出特性分为截止区、放 大区和饱和区三个区域。 在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工 作在截止区或饱和区。 GTR的基本特性 i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 动态特性 开通过程 开通时间ton=延迟时间td+上升时 间tr， 增大基极驱动电流ib的幅值并增大dib/dt，从而 加快开通过程。 关断过程 关断时间toff=储存时间ts+下降时间tf 减小导通时的饱和深度以减 小储存的载流子，或者增大基极 抽取负电流Ib2的幅值和负偏压， 可以缩短储存时间，从而加快关 断速度。 GTR的二次击穿现象与安全工作区 ■GTR的二次击穿现象与安全工作区 当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流迅速增大， 出现雪崩击穿（一次击穿），GTR一般不会损坏。 一次击穿发生后不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时 会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击 穿。可能导致器件的永久损坏。 SOA O I c I cM P SB P cM U ce U ceM 限制：1. 最高电压 UceM， 2.集电极最大电流IcM， 3. 最大耗散功 率PcM， 4. 二次击穿临界线。 电力场效应晶体管的结构与工作原理 普通场效应晶体管基本结构与工作原理回顾 自然状态：栅源电压为0（Vgs=0） 2. 栅源电压为正（Vgs0），但小于门槛电压VT 3. VgsVT 电力MOSFET多子（电子）导电：是单极型晶体管。 导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。 小功率MOSFET横向导电结构。 电力MOSFET垂直导电结构：VVMOS和VDMOS。 VDMOS：垂直导电双扩散MOS结构。 漂移区提高电力MOSFET反向耐压能力。 多子导电，栅极绝缘：无法像电力二极管和GTR在导通时有P区向漂移区注入大量少子形成电导调制效应来减小通态电压和通态损耗。 电力场效应晶体管的结构与工作原理 特点——用栅极电压来控制漏极电流 电流容量小，耐压低 开关速度快，工作频率高 图 电力MOSFET的结构和电气图形符号 电力场效应晶体管的结构与工作原理 缩短沟道电流路径降低导通电阻 P区主体与源极短路。即PN＋结短路。PN-N+组成体二极管Db，可流过额定电流。 Db具有很慢的反向恢复特性和高的反向恢复电流峰值。一般作续流二极管。 电力场效应晶体管的动态特性 0 10 20 30 50 40 2 4 6 8 a) 10 20 30 50 40 0 b) 10 20 30 50 40 饱和区 非 饱 和 区 截止区 I D / A U T U GS / V U DS / V U GS = U T =3V U GS =4V U GS =5V U GS =6V U GS =7V U GS =8V I D / A 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时，ID与UG