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三、简述题(每题5分,总20分) 1、在CMOS 模拟电路中,说明MOS 管有哪些不同的应用,并给出这些特定应用所 对应的约束条件。 (1 ) Diode( )(1 ) (1 ) (1 ) (1 ) (1 ) Diode( )(1 ) (1 ) (1 ) (1 ) ((11 )) DDiiooddee(( ))((11 )) ((11 )) ((11 )) ((11 )) 参考答案:偏置:恒流源 分 、 恒压源 分:饱和区 分 放大作用 分:饱和区 分 2、设正弦信号发生器产生的信号峰-峰值最低为10mV,运放增益设计值为60dB, 电源电压为3.3V,若电路失调电压可忽略,问采用何种方法能够测出该电路的电压增益。 1 1 11 参考答案: 、开环法:先对输入信号进行衰减,然后经过运放放大,测出增益。 2 A( )=Av/(1+Av) Av 2 A( )=Av/(1+Av) Av 22 AA(( ))==AAvv//((11++AAvv)) AAvv 、闭环法:运放接成跟随器,根据 闭环 ,可得 。 5 5 55 此两点答到其中一点即给 分。 3、分析共漏电路的主要功能,如何通过参数设计改善特定功能下的电路性能。 2 2 gm gd 1 2 2 gm gd 1 参考答案:小信号电压跟随(22分),大信号电平移位(22分),增大ggmm或减小ggdd(11分). 4、简要分析5管差分对结构中尾电流镜的作用及其对电路性能的影响。 3 2 3 2 33 22 参考答案:提高共模抑制比( 分);增大共模输入范围;( 分) 四、作图分析题(总计10分) ∆ 1、分别画出 V /R 和V /R 型两种基本的自偏置电路结构,分析自偏置电路的基 GS GS 本工作原理,对比分析两种电路的主要特点。(5分) 参考答案: 线形电流镜复制电流,非线形电流镜产生电流;电压源产生电流源、电流源产生电压源,两两耦 合。第一种排出了工艺的干扰、并且电流比第二种要小。 共 5 页 第 1 页 2 1 2 1 22 11 图画对一个给 分,两种电路特点分析给 分。 2、画出6管CMOS 迟滞比较器的电路结构、输入-输出传输特性,结合所设计的电路说 明各个MOS 管的主要作用。(5分) 参考答案: 传输特性略; MN2/MP2,

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