No第一章电磁辐射与材料结构课件.ppt

* 干涉指数(HKL): 可带有公约数(n)的晶面指数[即(nh nk nl)，或写为n(hkl)]，即广义的晶面指数 干涉指数是对晶面空间方位与晶面间距的标识：若将(hkl)晶面间距记为dhkl，则晶面间距为dhkl/n(n为正整数)的晶面干涉指数为(nh nk nl)，记为(HKL) (dhkl/n则记为dHKL)．例如晶面间距分别为d110/2，d110/3的晶面，其干涉指数分别为(220)和(330) 应当指出，干涉指数表示的晶面并不一定是晶体中的真实原子面，即干涉指数表示的晶面上不一定有原子分布。干涉指数概念的建立是出于衍射分析等工作的实际需要，它使许多问题的解决得以简化 * 劳埃斑 Laue spots X射线X--ray CuSO4·5H2O 多晶 单晶 * 二、倒易点阵 这些斑点与晶体的点阵结构有什么样的对应关系呢？？ 长期的实验发现，晶体点阵结构与其电子衍射斑点之间可以通过另外一个假想的点阵很好地联系起来，这就是倒易点阵。 * 1．倒易点阵的定义 倒易点阵是由晶体点阵按照一定的对应关系建立的空间点阵，此对应关系可称为倒易变换． 对于一个由点阵基矢ai (i=l，2，3，记为a、b、c)定义的点阵(可称正点阵)，若有另一个由点阵基矢aj* (j=1，2，3，记为a*，b*，c*)定义的点阵，满足 则称由aj*定义的点阵为ai定义的点阵的倒易点阵． * 定义式中之常数K，多数情况下取K=1，有时取K=λ(入射波长)或K=2π，下文中不特别注明时，则认为K=1． 倒易点阵与正点阵互为倒易关系： a1*·a2 = a1*·a3 = a2*·a1 = a2*·a3 = a3*·a1 = a3*·a2 =0 a1*·a1 = a2*·a2 = a3*·a3 =1 * 2．倒易点阵基矢表达式 由ai (i=1，2，3)表达aj* (j=l，2，3)的关系式，即 式中：V-阵胞(a1、a2、a3 构成的平行六面体)体积，按矢量混合积几何意义，V=a1·(a2×a3)．  * 倒易点阵参数计算公式 由正点阵参数表达的倒易点阵参数及α*( a2*与a3*夹角)、β*( a1*与a3*夹角)和γ*(a2*与a1*夹角) 为 * 例：立方晶系倒易点阵的表达式 基矢：a=b=c，夹角：α=β=γ=90，V=a3；将其代入公式，则有； 同理可得b*、c*、γ*、β*，即  * 3．倒易矢量及其基本性质 在倒易点阵中建立坐标系： 以任一倒易阵点为坐标原点(以下称倒易原点，一般取其与正点阵坐标原点重合)，以a1*、a2*、a3*分别为三坐标轴单位矢量，由倒易原点向任意倒易阵点(以下常简称为倒易点)的连接矢量称为倒易矢量，用r*表示． 若r*终点(倒易点)坐标为(H，K，L)，此时可将r*记作rHKL*： * 倒易矢量性质（与正点阵中对应晶面的关系）的导出 倒易矢量的基本性质 rHKL*垂直于正点阵中相应的(HKL)晶面，其长度rHKL*等于(HKL)之晶面间距dHKL倒数 * 倒易矢量的基本性质 证明：设平面ABC为(HKL) 在3个坐标轴上的截距分别为1/H、1/K和1/L，即有OA=a/H，OB=b/K，OC=c/L。又设n0为(HKL)法线单位矢量，并设倒易原点(O*)与正点阵坐标原点(O)重合．由 AB=OB-OA=b/K-a/H，有 同理 故rHKL*垂直于平面ABC * 倒易矢量性质（与正点阵中对应晶面的关系）的导出 * 故rHKL* 与n0共线，有 又dHKL为OA在n0方向上的投影，即  得  * 与r*及其性质有关的两个问题进行说明 （1）rHKL*的基本性质确切表达了其与(HKL)晶面的一一对应关系: 一个rHKL*与一组(HKL)晶面对应； rHKL*的方向与大小表达了(HKL)晶面在正点阵中的方位与晶面间距； 正点阵中每一(HKL)对应着一个倒易点，该倒易点在倒易点阵中的坐标即为HKL； 倒易点阵与正空间点阵的关系 * （2）倒易点阵的建立： 若已知晶体点阵参数，即可求得其相应倒易点阵参数，从而建立其倒易点阵； 也可依据rHKL*与(HKL)的对应关系，通过作图法建立倒易点阵，即在正点阵中取若干不同方位的(HKL)，并据其作出对应的rHKL* ，各rHKL*终点的阵列即为倒易点阵． * 1 2 3 6 4 7 5 思考题：用作图法画出立方晶系（111）和（021） 晶面对应的倒易点 * 总结 电磁辐射与物质结构的关系 电子波波长的计算公式 能级结构与光谱法： 原子能级--原子光谱法 分子能级-电子能级（成键和反键轨道）