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1-1已知半径为R的半圆柱面均匀分布面电荷密度为?、试用无限长线电荷场强公式和叠加原理，求半圆柱轴线上的电场强度E。 由于线性、各向同性磁媒质 对于铁磁物质??? ? 0，且非线性； 顺磁和抗磁物质 ? ? ? 0 M1方程 M2方程 1-4 电磁场基本方程组 电磁场基本方程组的意义 一般媒质的本构关系为 D=?0E+P B=?0(H+M) 对于线性、各向同性媒质为 JC=?E D=?E B=?H 补充说明：物质的极化和磁化（参书） 第二章 静电场 ?D/ ?t=0, ?B/ ?t=0 一.高斯通量定理的微分形式 用哈密顿算子?表示 ??D = ? rot E = 0 ??E = 0 或 高斯通量定理的微分形式，表明静电场是有散场。 环路定理的微分形式，表明静电场是无旋场。 2-1 基本方程及其微分形式 divD = ? 二. 环路定理的微分形式 三.电场量E和D的衔接条件 E1 t = E2 t 2-2 电位与电位梯度 静电场折射定律 单位V 物理意义—— 将单位正电荷由P点移到参考点Q电场力所作的功 一.电位定义 参考点Q选在无限远处rQ??，点电荷电位表达式最简单 E 的大小——电位? 的最大空间变化率， E 的方向——电位? 减小最快的方向。 电力线微分方程： E ? dl = 0 由E= ??? 可知： 等位面与电力线处处正交（垂直） 等电位面越密处，电场强度越大 二.电位的梯度 场域边界、自然边界、介质分界面衔接条件 2-3 静电场的边值问题 泊松方程 与E1t=E2t等效 与D2n?D1n=? 等效 当电荷分布在有限区域，场域延伸到无限远处时，??? 0。称为自然边界条件。 静电场的唯一性定理—— 在静电场中凡满足电位微分方程和给定边界条件的解，是给定静电场的唯一正确解。 不定积分法—— 只适用于电位?? 仅与一个坐标变量有关，泊松方程可简化为一个二阶常微分方程，通过不定积分得到通解，确定积分常数，得到满足电位和场强的分布函数表达式。 一.镜像法：（关键确定镜像电荷的大小和位置） 1.导电平面镜像 镜像电荷 大小—— –q 位置—— –h 2-4 镜像法与电轴法 2. 介质平面镜象 3 球面镜象 1. 点电荷q在接地导体球外 2.点电荷q在不接地导体球外 q//的大小分三种情况讨论 （其余与点电荷q在接地导体球外相同） q’：q镜象位置 q’’: q位置 1）若球面原来带电Q ， 得 2）若球面原来不带电 3）若已知球面电位? R 得 2.4.4 电轴法 电轴法解题步骤 3）根据圆柱导体的半径a和位置h，确定电轴位置 2.5 多导体系统的部分电容 电容计算 ? 假设q E 假设U 2.5.2 多导体系统的部分电容 2.6 电场能量和电场力 因此电场储能 2.6.4虚位移法求电场力 * * 电磁场物理基础习题 仲慧 1-1题图 ? R 在轴线上电场强度为 根据叠加定理，在轴线上 方向分量相互抵消，仅有 方向分量 本题关键是将面电荷分布转化为线电荷分布，因为圆轴面无限长，所以 与弧长的乘积即为线电荷密度形式。 1-1 解：沿圆柱面取单位弧长 ，则对应 的弧面产生的电场为 1-6 解：根据安培环路定理，取与导线同轴圆柱面及同心圆 r=a介质内表面 r=b介质外表面 1-7 解：设空间中存在 厚度为d的无限大平板在空间各点产生的磁场强度，可用安培环路定律求出： 通有 的无限长圆柱产生的磁感强度， 根据叠加定理，空间中的磁场强度 可用安培环路定律求出： 1-8解：（1）两线外侧，依据安培环路定理和叠加原理 （2）两线之间，同理可得 1-10：解：由于电流缓变，可以按恒定的磁场求解磁场强度 穿过双线通信线单位长度间的磁通： 又 因此 感应电动势为 1-11：解：平板电容器接缓变电压，电场为准静电场 位移电流密度 传导电流密度 电容器内电流 引线电流： 电流连续 2-2 解： 根据对称性，在球坐标系下展开，简化为 当r=0 时 存在 所以 所以 根据对称性，在球坐标系下展开，简化为 r=R 处 连续 即 所以 显然在内导体表面 r=R1 处有最大场强, 设 则 存在时， 最大电压 2-6 解：设内导体单位长度电荷量为 由 得 2-8 设内导体单位长度电荷量为?，由 得 （1）显然两层介质的最大场强分别在内导体表面及分界面处 设内外导体及分界面半径分别