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五 数字集成电路基本单元与版图 7.1 TTL基本电路 7.2 CMOS基本门电路及版图实现 7.3 CMOS触发器设计 7.4 数字电路标准单元库设计 7.5 焊盘输入输出单元 7.6 了解CMOS存储器 7.1 TTL基本电路 7.2 CMOS反相器 [1]. 电路图 标准的CMOS反相器 电路如图所示。 注意1： NMOS和PMOS的衬底是分开的， NMOS的衬底接最低电位?地， PMOS的衬底接最高电位?Vdd。 注意2： NMOS的源极接地， 漏极接高电位； PMOS的源极接Vdd， 漏极接低电位。 注意3： 输入信号Vi对两管来说， 都是加在g和s之间， 但是由于NMOS的s接地， PMOS的s接 Vdd，所以Vi对两管来说参考电位是不同的。 [2]. 转移特性 在分析CMOS反相器的特性时，注意如下事实： 在电路中，PMOS和NMOS地位对等，功能互补 它们都是驱动管，都是有源开关，部分的互为负载： 它们都是增强型 MOSFET 对于NMOS有 对于PMOS有 对输入和输出信号而言，PMOS和NMOS是并联的 [2]. 转移特性（续） 在直流电路上，PMOS和NMOS串联连接在Vdd 和地之间，因而有 Idsn从NMOS的d流向s，是正值, Idsp从PMOS的d流向s，是负值。 [2]. 转移特性（续） 把PMOS视为NMOS的负载，可以像作负载线一样，把PMOS的特性作在NMOS的特性曲线上。如图所示 转移特性（续） 整个工作区可以分为五个区域来讨论： 1. A区：0? Vi? Vtn NMOS截止 Idsn = 0 PMOS导通 Vdsn = Vdd Vdsp = 0 等效电路如右图所示。 转移特性（续） 2. B区： Vtn ? Vi? ? Vdd NMOS导通，处于饱和区，等效于一个电流源： 称之为NMOS平方率跨导因子。 PMOS等效于非线性电阻： 称之为PMOS平方率跨导因子。 在Idsn的驱动下，Vdsn自Vdd下降, |Vdsp|自0V开始上升。等效电路如图所示。 转移特性（续） 3. C区： Vi? ? Vdd NMOS导通，处于饱和区， PMOS也导通， 处于饱和区， 均等效于一个电流源，等效电路如右图所示。此时有， 转移特性（续） 两个电流必须相等，即 Idsn = Isdp，所以 如果?n=?p，且有 Vtn= -Vtp，则有 Vi = Vdd/2 但是，?n ? (2-3) ?p，所以应有 Wp/Lp ? 2.5 Wn/Ln 由?n=?p，Vtn= -Vtp和Vi = Vdd/2，应有 VO = Vdd/2 转移特性（续） ?比(?n/?p)对转移特性的影响，如下图所示。 转移特性（续） 4. D区： Vdd/2 ? Vi? Vdd/2 +Vtp 与B区情况相反： PMOS导通，处于饱和区， 等效一个电流源： NMOS强导通，等效于非线性电阻： 等效电路如图所示。 转移特性（续） 5. E区：Vi ? Vdd +Vtp PMOS截止， NMOS导通。 Vdsn = 0 |Vdsp| = Vdd Idsp = 0 等效电路如图所示。 转移特性（续） 综合上述讨论，CMOS反相器的转移特性和稳态支路电流如图所示。 转移特性（续） PMOS和NMOS在5个区域中的定性导电特性。 转移特性（续） 对于模拟信号，CMOS反相器必须工作在B区和D区之间，反相器支路始终有电流流通， 所以 Is-s 0， Pdc