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《计算材料物理》上机报告
Os结构与性质的GGA/LDA+(泛函形式例如PBE、RPBE等)法计算模拟
学 材料科学级专业 2011级学 号 110102030021
学 郭霖
指导师 向建勇
2014年 6月 16日
一.实验题目:《Os元素的结构优化与能量优化》
二.绪言
锇是金属单质中密度最大的,熔点3045℃,5300℃以上。六方密集晶格。灰蓝色金属,硬而脆。金属锇极脆,放在铁臼里捣,就会很容易地变成粉末,锇粉呈蓝黑色。锇的蒸气有剧毒,会强烈地刺激人眼的粘膜,严重时会造成失明。
三.实验目的:
1.学习、掌握用MS软件进行模拟计算
2. 了解CASTEP模块所使用的函数模型
3.掌握使用CASTEP模块进行计算的方法
4.了解过渡金属Os的结构结构参数及某些性能
四.计算内容:
1.计算材料:金属材料Os
2.计算方法:GGA、PBE
五.计算结果介绍及结论:
1.计算过程:
(1)生成Projects
a.运行Material Visualizer
b.创建新的Project(在D盘中创建名为guolin的Project)
(2)建立模型
a. 点击工具栏上的build,选择build crystal ,输入Os的空间群和晶格常数,空间群194,晶胞参数a = 273.44 pm,b = 273.44 pm,c = 431.73 pm,α = 90°,β = 90°,γ = 120°
b. 点击build,选择add atoms,添加Os原子 , a =1/3,b = 2/3,c = 1/4.
(3)对Os进行结构优化
打开Calculation ,选择Geometry Optinization进行结构优化。
用CASTEP进行计算,CASTAP几何优化任务允许改善结构的几何,获得稳定结构。通过一个迭代过程来完成这项任务,迭代过程中调整原子坐标和晶胞参数使结构的总能量最小化。
(4)
图.优化前 图.优化后
优化前:晶格常数 a=b=2.735000A , c=4.319000A
夹角 α=β=90°, γ=120°
优化后:晶格常数 a=b=2.887967A , c=4.522570A
夹角 α=β=90°, γ=120°
Current cell volume(晶胞体积)=32.666346 A**3
Final Enthalpy(焓)=-5+003 eV
Final bulk modulus(体弹模量)= 65.89919 GPa
可以看出,优化前后晶胞参数有明显改变,说明原来建立晶胞时的参数需要进行优化。
b.优化后Os的X射线衍射图谱(如图)
图.优化前Os的X射线衍射图谱
图.优化后Os的X射线衍射图谱
由图中可以看出明显的衍射峰,没有宽化,表明晶体结构的完整性。
c.能量优化后Os的能带图(如图)
图.能量优化后Sb的能带图
纯Os金属,具有六方晶格结构。从上图能带图中可以看出:能带之间在费米面附近有交叠,这就使它有了导电性,但是,也可以从能带图中看出其能带交叠,但不是很多,则其对导电有贡献的载流子数略小于普通的金属。
d.能量优化后Sb的态密度图(如图)
图.总态密度DOS
图.分波态密度PDOS
从上图中可以看出:有分波DOS跨过费米能级,费米面附近有电子能级分布,则该体系是金属。 从图中亦可以看出,主要是sum轨道和d轨道中的电子对Os的导电性做贡献。
e.反射率
图.反射率
反射率为物体表面的反射通量与入射通量之比,它是对某一特定波长而言,如涉及的是一个较宽的谱段,则称之为“反照率”。锇的紫外线反射率很高,;可见光范围内,反射率在550-600范围内波峰最高,则黄光反射率最高。
f.介电函数
图.介电函数
介电函数作为沟通带间跃迁微观物理过程和固体电子结构的桥梁,可以反映出固体能带结构及其他各种光谱信息。电磁波在介质中传播,当需要考虑吸收的影响时,介电常数要用复数来描述。介电函数的实部为介电常数,虚部为损耗因子。
g.导电性
图.电导率
电导率在介质中该量与电场强度之积等于传到电流密度。对于各向同性介质,电导率是标量;对于各向异性介质,电导率是张量。在可见光能量范围内导电性能变化波动较大。
h.损耗函数
图.损耗函数
损失函数描述了当电子快速通过材料时能量的损失。由图可以看出,在可见光的能量为3.25ev处,光的损失率达到最大。
i.可见光吸收
图.可见光吸收
由图
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