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第三章 光电检测器件 3.1 光电探测器中的噪声 1 光电测量系统的噪声情况 2 光电探测器中的噪声 A．热噪声。是白噪声，存在于任何导体和半导体中。载流子热运动引起的电流起伏或电压起伏称热噪声，又称电阻噪声。 热噪声均方电流： (当f1012Hz时) 热噪声均方电压： （当f1012Hz时） 例：室温下，1Ω电阻在单位Hz带宽内产生的热噪声功率为1.62×10-20W。 B．散粒噪声。是白噪声。光电管中光电子逸出阴极表面的随机性，P-N结中载流子通过结区的随机性，入射到探测器表面光子的随机性均表现为散粒噪声。 均方电流： C．产生－复合噪声。载流子的产生数与复合数在某瞬间表现出起伏性。 均方电流： D．1/f噪声。在半导体器件中都存在，其机理尚无准确解释。在f200Hz时，器件的1/f噪声已很小，可忽略。 均方电流： E．温度噪声。由于器件本身温度起伏产生。 温度起伏均方值： 注： 噪声等效带宽Δf的求法： （即噪声带宽Δf求法） 其中A(f)为光电系统中放大器的功率增益。 3 上述各种噪声的功率谱分布图 噪声的功率谱S（f）：指噪声功率随频率变化关系。S(f)数值为频率f的噪声在 1Ω电阻上能产生的功率。 对两种典型情况： A、白噪声：S(f)≡常数； B、1/f噪声：S(f)∝1/f。 3.2 探测器的主要特性参数 ? 1 响应率与光谱响应率： (单位：V/W) 若知 （光通量，单位为：V/1m或A/1m） 则有 或 2 等效噪声功率NEP和探测率： 探测率为探测器测量最小光信号能力的指标。 3 响应时间 （阶跃光输入时） 3.3 光敏电阻 1 工作原理 光敏电阻是利用半导体材料的光电导效应制成的半导体光电导器件。在均质的光电导体两端加上电极后构成光敏电阻。光敏电阻两端电极加上一定电压后，当光照射到光电导体上，光照将产生光生载流子，在外电场作用下，定向运动，形成电流。其原理图及电路符号为： 2 光敏电阻的特点： 优点： a.光谱的范围相当宽（紫外，可见，近红外， 远红外），对红外有较高的响应度。 b.工作电流大，可达数mA。（可驱动继电器 吸合） c.可测强光，也可测弱光。 不足之处： a. 强光照射下光电转换线性较差。 b. 光电驰豫过程较长，频率响应很低。 3 光敏电阻的特性参数 光电导灵敏度Sg：光敏电阻的光电导g与输入光照度E之比即为光电导灵敏度。即 式中，A为光敏面积；Ф为入射的通量。由欧姆定律，电流I与电压U的关系为I=gU，将式中g=SgE代入得I=SgEU，此即弱光照时的线性关系。 电阻灵敏度SR： 暗电阻与亮电阻。 光电特性：光敏电阻的光电流I与输入辐射通量φ有下列关系式：I=AUφr，其中A为光敏材料决定的常数；U为电源电压；r为0.5-1之间的系数。弱光照时，r=1，I与φ有良好的线性关系。即线性光电导；强光照时。r=0.5，即抛物线性光电导。以CdS光敏电阻为例的光电特性曲线如下图所示。 温度特性：光敏电阻的特性曲线很复杂。图2-14为CdS和Cd光敏电阻的温度特性。光敏特性受温度影响较大，为了提高性能的稳定性、降低噪声、提高探测率，采用专门的冷却装置冷却灵敏面的办法是十分必要的。 伏安特性（输出特性）：在一定光照下，光敏电阻的电流与所加的光电压关系即为伏安特性。如图2-13所示，光敏电阻是一个纯电阻，因此符合欧姆定律，故曲线为直线，图中虚线为额定功耗线。使用时，应不使电阻的实际功耗超过额定值。在设计负载电阻时，应不使负载线与额定功耗线相交。 前历效应：前历效应是指光敏电阻的时间特性与工作前历史有关的一种现象。即测试前光敏电阻所处的状态对光敏电阻特性的影响。 时间和频率响应：光敏电阻的时间常数比较大，所以其上限频率低。只有PbS光敏电阻的频率特性稍好些，可工作到几千赫。光敏电阻的时间特性与输入光的照度、工作温度有明显的依