二极管及其电路课件.pptVIP

例： 例:理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形v0。 例：判别二极管是导通还是截止。 例：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。 例：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。 三、PN 结的伏安特性： VBR VD ID IR= -IS 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V 根据理论分析，PN结的V-I特性可表达为: 反向特性 正向特性 IS为反向饱和电流。对于分立器件，其典型值约在10-8～10-11A的范围内。集成电路中的PN结，IS值则更小。 VT=kT／q 称为温度的电压当量， 其中：k为波耳兹曼常数 (1.38*10-23J／K) T为热力学温度 q为电子电荷(1.6*10-19 C) 常温下VT＝0.026V 击穿 特性 3.2.4 PN结的击穿： 当PN结两端的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加,这个现象就称为PN结的反向击穿(电击穿)。 PN结电击穿从产生原因上可分为两种:雪崩击穿和齐纳击穿 雪崩击穿：当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。通过空间电荷区的电子和空穴，在电场作用下获得的能量增大，在运动中不断地与晶体原子发生碰撞，使共价键中的电子激发形成自由电子—空穴对，新产生的电子和空穴与原有的电子和空穴一样，在电场作用下，获得能量，又可通过碰撞，再产生电子—空穴对，如此反复,使反向电流急剧增大，于是PN结就发生雪崩击穿。 齐纳击穿：在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存在一个强电场，它能够破坏共价键将束缚电子分离出来造成电子—空穴对，形成较大的反向电流。 3.2.5 PN结的电容效应： PN结具有一定的电容效应，由两部分组成：一是势垒电容CB ，二是扩散电容CD 。 一、 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加反向电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 二、 扩散电容CD 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。 当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。 P + - N CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 3.3.1 二极管的结构: PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 二极管的电路符号： § 3. 3 二极管 P N 阳极 阴极 (a)点接触型 (b)面接触型 (c)平面型 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 点接触型： PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等 高频电路。 面接触型： PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 平面型：往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 3.3.2 二极管的V-I 特性: VD ID 反向特性 正向特性 击穿 特性 VD ID 硅管 锗管 门坎电压Vth：硅管约0.5V，锗管约0.1V。 正向导通压降：硅管约0.7V，锗管约0.2V。 3.3.3 主要参数: 1. 最大整流电流 IFM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向峰值电压URM 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向峰值电压URM一般是UBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 5. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 4. 反向恢复时间TBR与最高工作频率fM 由于二极管PN结电容效应的存在，外加电压极性翻转，管子的状态不能马上发生改变，而