PECVD法制备掺磷非晶硅薄膜及结构与性能研究.pdf

摘要 当前，非晶硅薄膜太阳能电池以其成本低，工艺简单，能量回收时间短等优 点得到了广泛关注。根据衬底状况和各层沉积顺序的不同，非晶硅薄膜太阳电池 可分为P．i．11和n-i．P两种结构。n层和P层共同构建非晶硅薄膜太阳能电池的内 建电场，两层直接影响电池的开路电压(Voc)，短路电流密度Osc)，所以n层对 整个电池的性能起着重要的作用。 本文通过射频等离子增强化学气相沉积(RE．PECVD)，以氢稀释的硅烷 膜。本论文研究磷掺杂浓度，辉光放电功率，衬底温度对非晶硅薄膜结构和光电 性能的影响，薄膜微结构通过XRD和拉曼散射光谱进行表征，薄膜透过率通过紫 外可见光分光度计来测试，折射率和消光系数通过NKD．7000W光学薄膜系统拟 合得出，暗电导率通过高阻仪测试。结果表明：在本实验条件下沉积的硅薄膜都 掺杂浓度增加而增大，暗电导率随着磷掺杂浓度先增加后降低，薄膜表面粗糙度 基本不受掺杂浓度影响；非晶硅薄膜折射率随着辉光功率增大先增加后减小，功 衬底温度在60-300℃内变化，非晶硅薄膜暗电导率是先上升后下降，200℃时 10。2S／era。 电导率值达到最大，为1．88x 关键词：等离子体增强气相化学沉积，非晶硅薄膜太阳能电池，n型氢化非晶硅， 有序度，折射率，暗电导率 Abstract DuetoitslOW fabrication andshort time ere， cost，simple technologyenergy-pay cellis tremendousattention siliconthin—filmsolar recently． amorphous receiving Thesolarcellcouldbedividedinto substrate configuration(p—i—n)and superstrate ondifferentsubstratesand order．111einternal configuration(n—i-p)based deposition fieldofsiliconsolarcellisbuilt andn electric synergeticallybyP layers，which affectthe circuit short-circuitcurrent directly open voltage(Voc)and density(Jsc)of thecell aswell． thecell．Son all on layerplaysimportant performance werefabricated radio siliconfilms by N-typedhydrogenatedamorphous plasma enhancedchemical Sil44and frequencyplasma vapor of