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- 2016-03-31 发布于湖北
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M8833 非隔离内置MOS.doc
概述
M8833是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式,适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。
M8833芯片内部集成500V功率开关,采用专利的驱动和电流检测方式,芯片的工作电流极低,无需辅助绕组检测和供电,只需要很少的外围元件,即可实现优异的恒流特性,极大的节约了系统成本和体积。
M8833芯片内带有高精度的电流采样电路,同时采用了专利的恒流控制技术,实现高精度的LED恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模式,输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化,实现优异的负载调整率。
典型应用
特点
? 电感电流临界连续模式
? 内部集成500V功率管
? 无需辅助绕组检测和供电
? 芯片超低工作电流
? 宽输入电压
? ±%LED输出电流精度
? LED开路保护
? LED短路保护
? 芯片供电欠压保护
? 过热调节功能
? 采用DIP-8封装
应用
LED日光灯
LED吸顶灯
LED球泡灯
? 其它LED照明
图1M8833典型应用图
定购信息
定购型号 封装 温度范围 包装形式
M8833DR
SOP8
-40℃到105℃ 盘装
2500颗/盘
M8833PR
DIP8
-40℃到105℃ 管装
50颗/管2000/盒
管脚封装
图2管脚封装图
管脚描述
管脚号 管脚名称 描述 极限参数(注1)
符号 参数 参数范围 单位 I_MAX VDD引脚最大电源电流 5 mA DRAIN 内部高压功率管漏极到源极峰值电压 -0.3~500 V 电流采样端 -0.3~6 V ROVP 开路保护电压调节端 -0.3~6 V PDMAX 功耗(注2) 0.9 W θJA PN结到环境的热阻 80 ℃/W TJ 工作结温范围 -40to150 ℃ TSTG 储存温度范围 -55to150 ℃ ESD(注3) 2 KV
注1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
注2:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由TJMAX,θJA,和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PDMAX=(TJMAX-TA)/θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注3:人体模型,100pF电容通过1.5KΩ
推荐工作范围(注4)
注4:推荐的最大输出电流为未加填谷电路应用场合。
电气参数(注5,6)(无特别说明情况下,V=15V,TA=25℃)
符号 描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 V_CLAMP VDD钳位电压 1mA 16.8 V VDD_ON VDD启动电压 VDD上升 13.8 V VDD_UVLO VDD欠压保护阈值 VDD下降 9 V IST VDD启动电流 VDD=VDD-ON-1V 120 180 uA IOP VDD工作电流 FOP=70KHz 100 150 uA 电流采样 VSEN_TH 电流检测阈值 388 400 412 mV VSEN_SHORT 短路时电流检测阈值 输出短路 200 mV TLEB 前沿消隐时间 350 ns TDELAY 芯片关断延迟 200 ns 内部时间控制 TOFF_MIN 最小退磁时间 3 us TOFF_MAX 最大退磁时间 240 us TON_MAX 最大开通时间 40 us VROVP ROVP引脚电压 0.9 V 功率管 RDS_ON 功率管导通阻抗 VGS=15V/IDS=0.4A 5 Ω BVDSS 功率管的击穿电压 VGS=0V/IDS=250uA 500 V IDSS 功率管漏电流 VGS=0V/VDS=500V 1 uA 过热调节 TREG 过热调节温度 150 ℃
注5:典型参数值为25?C下测得的参数标准。
注6:规格书的最小、最大规范范围由测试保证,典型值由设计、测试或统计分析保证。
内部结构框图
应用信息
图3M8833内部框图
M8833是一款专用于LED照明的恒流驱动芯片,应用于非隔离降压型LED驱动电源。采用专利的恒流架构和控制方法,芯片内部集成500V功率开关,只需要极少的外围组件就可以达到优异的恒
值电压进行比较,当电压达到内部检测阈值时,功率管关断。
电感峰值电流的计算公式为:
流特性。而且无需辅助绕组供
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