晶体缺陷+位错的弹性性质.ppt

应力 应力表示 二、刃位错的弹性能 （1）总应变能 UT=U0+Uel （5）从热力学考虑： ΔG =ΔU - TΔS，由于位错的存在， ΔU 可上升几个以上电子伏特，而组态熵ΔS 小，TΔS 只有十分之几的电子伏特，所以位错的产生, ΔG 0，不稳定。相反空位等点缺陷是热力学稳定的缺陷。 位错的弹性能正比于它的长度，因此位错线力图缩短其长度，以达到最低的能量状态。为了描述其缩短趋势，引入位错线张力概念。 1. 引起位错滑移的力 ②只有作用于滑移面，且平行 于位错b的切应力分量， 才对滑移力有贡献。 如图τ1，τ2均不能使位错 运动，因此对滑移力无贡献。 若晶体存在一个位错，它周围便产生一个应力场，如果在其附近引入另一个位错，则前一个位错的应力场必对后一个位错有作用力。或者说两者之间有相互作用力。 1. 平行螺位错间的作用力 2. 平行刃位错间的作用力 讨论： 1.P-N模型（简单立方） 对派纳力公式的理解 1. 一般情况下，a≈b，v≈0.3，可得τP-N＝10-3~10-4G，比理想晶体的屈服强度(约G/30)小得多，接近实验值。 讨论： 讨论： ③置换原子， 间隙原子, ④螺位错由于不产生正应力， 2、柯氏气团 11.有两根左螺旋位错线，各自的能量都为E1，当他们无限靠拢时，总能量为多少？ 其中， ——P-N位垒，用以表示位错周期势能。 通过计算任意一对原子的错排能 再通过求和得到整个滑移面的错排能； 然后再利用傅立叶求和公式，求出位错在任意位置的错排能（刃型位错）： 如果位错偏离对称位置 时（ 的分数），则： 如果位错恰好在对称位置时，可以近似地认为原子的位置为： ① Peierls 位错的能量 2. 晶格阻力与P-N力 是一个很重要的参数，用以表示位错周期势能，是晶体的一个性质。 不同点阵类型的 不同 当位错从一个平衡位置移动到另一个平衡位置时，必须翻越这个能峰。 所以， 的大小会影响到位错的可动性。， FCC的 低。 BCC的 高， 第一节 P-N模型与P-N力 ② 晶格阻力 晶格阻力在数值上等于： 晶格阻力表达式的特点： 作用在单位长度位错线上的晶格阻力 周期力。 当 时，F达到极大值: ③ P-N力 晶格阻力用切应力来表达 克服晶格阻力所施加的临界切应力称之为P-N应力： a:滑移面间距 b:柏氏矢量(滑移方向上的原子间距) 位错宽度与位错移动性关系 (a)w大;(b)w小;(c) 位错移动性与W的关系 规定：位错中心向两边延伸至原子偏离原来自身平衡位置1/4b 时为止的宽度 位错宽度 晶体中已滑移部分和未滑移部分间的过度区 2. 当a取值最大，即在晶体密排面滑移，b取值最小，即在密排方向滑移，τP-N 最小，与晶体滑移系机制相符。 3. ω越窄，τP-N越大，位错越难进行滑移。 塑形晶体中的位错宽度ω很大，可达10个原子间距 脆性晶体中的位错宽度ω很小 位错与溶质原子的交互作用 溶质原子引起周围晶体发生弹性畸变而产生应力场。溶质原子通过应力场与位错发生弹性交互作用，使体系能量U降低。 U0 —— 点缺陷的应变能 Ue ——位错的应变能 UID——当溶质原子移近位错 时，体系能量的改变值 U=U0+Ue+UID 假想在连续弹性介质中挖一球形孔洞，半径为r0(溶剂或间隙半径)，然后填入一个半径为r1(溶质半径)的小球。若无位错，该过程只反抗周围介质做功，该能量为U0，有位错时，除U0外，该过程还需反抗位错应力场σij做功，该能量即弹性交互作用能UID。 因为点缺陷引起球形对称畸变，位移始终垂直于球面，故应力场中σij在球面上产生的切应力做功为0。（∵没有切应变），只有σrr对溶质原子做功。 r1 r0 σ τ y x θ r1 r0 γ σrr＝ 1/3（σxx＋ σθθ＋ σzz） 在位移Δr = r1－r0 过程中，孔洞周围体积改变ΔV， 反抗位错应力场做功： ΔW＝ σrrΔV 则位错与点缺陷的交互作用能UID=ΔW 将刃位错应力场代入得： r1 r0 σ τ - 要使溶质原子处在晶体中稳定位置，必须使UID为负。 大原子置换 间隙原子 ①当ΔV 0（即 r1 r0 )时， 在 y 0 处UID为负， 表明比基体 原子大的置换或间隙原子， 倾向处于刃位错下侧。 ②当ΔV 0 （即 r1 r0 )时， 在 y 0 处UID为负，表示比 基体原子小的置