金属和半导体材料电导(材料物理性能)精要.pptVIP

电阻温度系数 存在金属间化合物 5. 金属导电性的测量与分析 单（双）电桥法 直流电位差计法 电阻分析的应用 电阻分析的应用 研究合金的时效 测定固溶体的溶解度 研究合金的有序 - 无序转变 研究材料的疲劳过程 量子力学计算表明，晶体中若有N个原子，由于各原子间的相互作用，对应于原来孤立原子的每一个能级,在晶体中变成了N条靠得很近的能级,称为能带。 晶体中的电子能级有什么特点？ 离子间距 a 2P 2S 1S E 0 E2 E3 E5 E4 E6 E7 E1 0 E E ~ k 曲线的表达图式 两个相邻能带之 间的能量区域称 为禁带。 晶体中电子的能量 只能取能带中的数 值，而不能取禁带 中的数值。 图中 为 “许可的能量”， 称为能带*。 2）晶格中m*与m e: m*=常数，与自由粒子在实空间中的运动相似。 m*= me 第Ⅰ区: 第一能带 k1 的取值范围为 第Ⅱ区: m* 0的物理解释是：电子交给晶格的动量多于它从外场中所获得的动量；此时电子的状态是处于布里渊区边界（从扩展图式可明显看出）, 电子受到晶格的强烈的布喇格反射，电子的加速方向与外力作用方向相反，有效质量为负。 曲线的曲率d2E/dk2为负值, m* 0 E与k符合抛物线关系 E2 E3 E5 E4 E6 E7 E1 0 E E ~ k 曲线的表达图式 第一能带顶部电子 第一能带底部电子 第Ⅳ区：第二能带中的电子。其有效质量比Ⅰ区小。此区的电子称为“轻电子”。 E2 E3 E5 E4 E6 E7 E1 0 E E ~ k 曲线的表达图式 第Ⅲ区 第二能带 k2 的取值范围为 位于第一能带和第二能带之间的能量区域称为禁带，没有电子。 半导体的禁带较窄(Eg小)，电子跃迁比较容易。 半导体能带结构 禁带 半导体禁带宽度小于2ev 2.2.3半导体材料电导-载流子 绝缘体能带结构 价带和导带隔着一个宽的禁带Eg，电子由价带到导带需要外界供给能量，使电子激发，实现电子由价带到导带的跃迁， 导带中导电电子浓度很小 一般绝缘体禁带宽度约为6-12ev 金属中载流子浓度等于自由电子浓度；绝缘体中载流子浓度很小，所以主要介绍半导体中载流子浓度。 2. 半导中的载流子浓度 本征电导：导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在的电导。 本征半导体的能带结构 Ec-导带底部能级 Ev-价带顶部能级 Eg=Ec-Ev Ef -费米能级 在外界作用(如热、光辐射)下，价带中的电子获得能量，跃迁到导带中去。在导带中出现了导电电子。 空穴：在价带中出现了这个电子留下的空位，叫做空穴。 1）本征半导中的载流子浓度 空穴导电：在外电场作用下，价带中的电子逆电场方向运动到这些空位上来，而本身又留下新的空位。即空位顺电场方向运动，此种导电为空穴导电。 E外 本征半导体：载流子只来自于半导体晶格本身的半导体。 本征半导体的载流 子是由热激发产生的，其浓度与温度成指数关系。 在某一能带(E1和E2之间)，存在的电子浓度ne可以表示为 G(E)为电子允许状态密度 Fe(E)为电子存在的几率 导带中电子浓度及价带中的空穴浓度（本征导电的载流子电子和空穴的浓度是相等的） 室温下(kT=0.025eV)，E- EfkT Ef为费米能级，其物理意义是，该能级上的一个状态被电子占据的几率是1/2。 费米-狄拉克分布函数： 导带中的导电电子浓度ne ： Gc(E)为导带的电子状态密度： me*为电子有效质量 h是普朗克常数 经过积分得 导带的有效状态密度 导带中的导电电子浓度ne ： 空穴的分布函数Fh: 价带中的空穴的浓度nh ： 本征半导体中，价带中的空穴和导带中的电子浓度相等， Fh=1-Fe （Ef-E)kT Nv为价带的有效状态密度 费米能级Ef 价带中的空穴的浓度nh ： N为等效状态密度 本征半导中的载流子浓度 在四价的半导体硅单晶中掺入五价的杂质砷 2）杂质半导体中的载流子浓度 杂质半导体分为n型半导体和p型半导体 n型半导体能带结构 n型半导体：掺入施主杂质的半导体称为n型半导体。 施主能级：“多余”电子的杂质能级称为施主能级。 “多余”的电子能级离导带很近,只差E1=0.05eV，大约为硅的禁带宽度的5%，它比价带中的电子容易激发得多。 ①能带结构 p型半导体能带结构 p型半导体:掺入受主杂质的半导体称为p型半导体或空穴型半导体，其中的载流子为空穴。 受主能级:空穴能级能容纳由价带激发上来的电子，称这种 杂质能级为受主能级。 在半导体硅中掺入第三族元素（如硼） 出现一个空位能级。此能级距价带很近，只差E1=0.045eV。 价带中的电子激发到空穴能级上比越过整个禁带(1.1ev)到导带要容易得多。 n型半导体中载流子浓度ne