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集成电路制造技术1 1.集成电路使用的材料 集成电路使用的材料种类很多，在MEMS中使用较多的是硅和陶瓷。 集成电路所用陶瓷，是一种新型陶瓷也称为功能陶瓷。其生产方法除了用常压烧结法外，还用热压、热导静压、超高压或反应热结，以及气相沉积法等。功能陶瓷除去其化学惰性、机械稳定性、表面质量外，还具有高强度、耐高温、耐腐蚀、耐磨，以及多极性、介电性、压电性、光电性、绝缘等优良品质。下面将主要介绍硅材料。 硅材料的主要性质 多晶硅的制备 单晶硅的制备 2. 薄膜制造及外延生长 3. 氧化技术 热氧化工艺 硅的热氧化方法 干氧氧化 Si +O2 SiO2 水汽氧化 Si + 2H2O SiO2 ＋ 2H2 （水汽来源于高纯去离子水气化或H、O直接燃烧化合而成。） 湿氧氧化 4. 掺杂技术 离子注入技术 * * 硅具有银白色或灰色金属光泽，晶体硬而脆，硅的外观如图所示。硅熔体密度比固体密度大，故熔化后会发生体积收缩，类似于冰与水的关系。 硅的外观 在室温下，硅的化学性质比较稳定，与空气、水和酸均无反应，但与强酸、强碱作用，硅极易被HNO3 –HF的混合酸所溶解，因此，在硅片加工及集成电路器件工艺中，HNO3 –HF混合酸常常用作硅的腐蚀液。在高温下，硅与锗的化学活性大，可与氧、卤素、卤化氢、碳等反应。 硅与卤素或卤化氢作用可生成相应的卤化物。生成的SiCl4可作为硅外延生产的原料，生成的SiHCl3是高纯硅化学提纯的中间产物。 固体材料按其结构可以分为晶体、非晶体和准晶体。硅材料包括：硅多晶，硅单晶，硅单晶片（切片，研磨片以及抛光片等）硅外延片，非晶硅和微晶硅，多孔硅以及以硅基材料（SOI和SiGe/Si材料等）。 单晶、多晶和非晶体原子排列 目前制备多晶硅普遍采用的如下主要有两种方法 ：西门子法 和硅烷热分解法。 1. 西门子法 ：西门子法整个工艺过程中主要是利用如下一个可逆化学反应，即： Si＋HCl 360 SiHCl3＋ H2 西门子法工艺开始是将工业粗硅在3600C进行氯化获得SiHCl3，之后再将SiHCl3进行精馏提纯后与氢一起通入还原炉，在11000C炽热的硅芯上使化学反应向左进行，最终得到高纯度多晶硅。 西门子法工艺流程示意图 2. 硅烷热分解法：目前大规模生产采用的硅烷法，其工艺流程如下。 氯化反应器中，压力为3.5MPa,温度在5000C条件下发生反应： Si＋2H2＋3SiCl4 4SiHCl3 经过上述反应得到的SiHCl3在歧化反应器(1)中进行歧化反应，在催化剂作用下将发生如下反应： 70oC 6SiHCl3 3SiH2Cl2＋3SiCl4 经过上述反应得到的SiH2Cl2需要在另一个歧化反应器（2）中进行歧化反应，在催化剂作用下将发生如下反应： 3SiH2Cl2 2SiHCl3＋SiH4 在该反应中得到的SiH4在2.5 MPa压力下进行精馏,然后再进行热分解沉积成多晶硅棒。 硅烷法工艺流程示意图 制备半导体材料单晶的方法有很多，但对制备硅单晶而言，目前普遍采用的主要有两种，即:直拉法(Czochealski method)和区熔法（floating-zone method）。目前80%以上的单晶硅都是通过直拉法得到的。 直拉法 (Czochealski method)，也称有坩埚法，其工艺基本原理：将多晶硅料装在石英坩埚内加热熔化，将固定在籽晶轴上的籽晶一端与熔体表面熔接，待熔接好后开始向上提拉并通过缩颈，放肩，等径和收尾等生长过程将晶体从熔体中沿垂直方向拉制出。 直拉单晶生长过程示意图 直拉法拉制单晶示意图及单晶炉 6英尺寸硅单晶 外延生长就是在一定条件下，在经过仔细制备的单晶衬底上，沿着原来的结晶方向生长出一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构、完整性等都符合要求的新单晶层的工艺过程。所生长的单晶层称为外延层。 外延生长的分类方式有多种，其中一种分类方式如下： 同质外延：外延层与衬底同种材料 如Si/Si、GaAs/GaAs 、GaP/GaP; 异质外延：外延层与衬底不同材料 如Si/Al2O3、GaS/Si、G