微机原理——存储器典型芯片要点.pptVIP

* 微型计算机原理及其应用——第五章：存储器及其接口 * 第五章：存储器及其接口——典型的半导体芯片举例 SRAM芯片HM6116 　 6116芯片的容量为2 K×8 bit，有2048个存储单元，需11根地址线，7根用于行地址译码输入，4根用于列译码地址输入，每条列线控制8位，从而形成了128×128个存储阵列，即16 384个存储体。6116的控制线有三条，片选CS、输出允许OE和读写控制WE。 * 第五章：存储器及其接口——典型的半导体芯片举例 SRAM芯片HM6116 　 Intel 6116存储器芯片的工作过程如下： 读出时，地址输入线A10～A0送来的地址信号经地址译码器送到行、列地址译码器，经译码后选中一个存储单元(其中有8个存储位)，由CS、OE、WE构成读出逻辑(CS=0，OE=0，WE=1)，打开右面的8个三态门，被选中单元的8位数据经I/O电路和三态门送到D7～D0输出。写入时，地址选中某一存储单元的方法和读出时相同，不过这时CS=0，OE=1，WE=0，打开左边的三态门，从D7～D0端输入的数据经三态门和输入数据控制电路送到I/O电路，从而写到存储单元的8个存储位中。当没有读写操作时，CS=1，即片选处于无效状态，输入输出三态门至高阻状态，从而使存储器芯片与系统总线“脱离”。6116的存取时间在85～150 ns之间。 * 第五章：存储器及其接口——典型的半导体芯片举例 DRAM芯片2164 　 * 第五章：存储器及其接口——典型的半导体芯片举例 DRAM芯片2164 　 DRAM芯片2164A的容量为64 K×1 bit，即片内有65 536个存储单元，每个单元只有1位数据，用8片2164A才能构成64 KB的存储器。若想在2164A芯片内寻址64 K个单元，必须用16条地址线。但为减少地址线引脚数目，地址线又分为行地址线和列地址线，而且分时工作，这样DRAM对外部只需引出8条地址线。芯片内部有地址锁存器，利用多路开关，由行地址选通信号RAS(Row Address Strobe)，把先送来的8位地址送至行地址锁存器，由随后出现的列地址选通信号CAS(Column Address Strobe)把后送来的8位地址送至列地址锁存器，这8条地址线也用手刷新，刷新时一次选中一行，2 ms内全部刷新一次。Intel 2164A的内部结构示意图如图所示。 * 第五章：存储器及其接口——典型的半导体芯片举例 DRAM芯片2164 　 * 第五章：存储器及其接口——典型的半导体芯片举例 DRAM芯片2164 　 图中64 K存储体由4个128×128的存储矩阵组成，每个128×128的存储矩阵，由7条行地址线和7条列地址线进行选择，在芯片内部经地址译码后可分别选择128行和128列。锁存在行地址锁存器中的七位行地址RA6～RA0同时加到4个存储矩阵上，在每个存储矩阵中都选中一行，则共有512个存储电路可被选中，它们存放的信息被选通至512个读出放大器，经过鉴别后锁存或重写。锁存在列地址锁存器中的七位列地址CA6～CA0(相当于地址总线的A14～A8)，在每个存储矩阵中选中一列，然后经过4选1的I/O门控电路(由RA7、CA7控制)选中一个单元，对该单元进行读写。2164A数据的读出和写入是分开的，由WE信号控制读写。当WE为高时，实现读出，即所选中单元的内容经过三态输出缓冲器在DOUT脚读出。而WE当为低电平时，实现写入，DIN引脚上的信号经输入三态缓冲器对选中单元进行写入。2164A没有片选信号，实际上用行选RAS、列选CAS信号作为片选信号。 * 第五章：存储器及其接口——典型的半导体芯片举例 EPROM芯片2732A 　 4K?8位 存取时间为200ns、250ns； （1）引脚功能： 24脚，图5-12（a） 地址线：12条，A11~A0 数据线：8条，O7~O0 控制线：2条，-CE（片选）-OE：输出允许（复用） 电气引脚：3条，Vcc（+5V），GND（地） Vpp（+21V），编程高压，与-OE引脚复用。 * 第五章：存储器及其接口——典型的半导体芯片举例 EPROM芯片2732A 　（2）工作方式：6种 （1）读方式： 当地址有效后，-CE和-OE同时有效，读 （2）待用方式： -CE无效时，保持状态，输出高阻，-OE不起作用，自动进入低功耗（125mA降到35mA） （3）编程方式： -OE/Vpp引脚加21V高压时，进入编程方式。 编程地址送地址引脚，数据引脚输入8位编程数据，地址和数据稳定后，-CE端加1个低