图像传感器检测系统解读.ppt

第六章 图像传感器检测系统 电荷耦合器件 1 CCD的物理基础 CCD是基于 MOS(金属—氧化物—半导体)电容器在非稳态下工作的一种器件。因此，必须了解 MOS电容器的稳态和非稳态工作及其与 CCD的关系。 2 CCD的工作原理和结构 CCD是一行行紧密排列在硅衬底上的MOS电容器阵列，它具有存储和转移信息的能力，故又称为动态移位寄存器。为了了解 CCD的工作原理，必须了解MOS电容之间的耗尽层耦合。 2.1 耗尽层耦合 考察两个间隔较大的 MOS电容器，在两个金属栅极之间没有被金属覆盖那部分的氧化物下的表面势，将由氧化层上面的情况、固定氧化物电荷 Qf及衬底掺杂浓度等确定。 2.2 CCD的工作原理 当 CCD工作时，可以用光注入或电注入的方法向势阱注入信号电荷，以获得自由电子或自由空穴。势阱所存贮的自由电荷通常也称为电荷包。在提取信号时，需要将电荷包有规则地传递出去，即进行电荷的转移。 2．3 CCD的基本结构 §6.2 真空摄像系统 电视型电真空成像原理 一 电视摄像的基本原理 二 摄像管的基本原理和分类 三 摄像管的主要特性参数 衡量摄像管优劣的总标准是： 在测试台的监视器上能否分辨一定的标准测试图案。 图案的清晰程度是由许多因素决定的。为了分析和研究各种因素对像质的影响，必须规定出具体的特性参数。 摄像管的最主要特性参数是：灵敏度、惰性、分辨力和光电转换特性等。 其中灵敏度和惰性主要决定于靶面，分辨力主要决定于扫描电子枪。 §6.3 像 管 2 电子图像的能量增强 3 电子图像的发光显示 二 像管的类型与结构 用于直视成像系统的像管，具有多种类型。根据像管的工作波段可分为： 工作于非可见辐射(近红外、紫外、 X射线、γ射线)的像管，称之为变像管； 工作于微弱可见光的像管，称之为像增强器。 1．近贴式像管 近贴式像管的结构如图所示，光阴极在输入窗的内表面，荧光屏在输出窗的内表面，光阴极和荧光屏相互平行。在光阴极与荧光屏之间施加高压时，两电极间形成纵向均匀电场，由光阴极发射出的电子受电场的作用飞向荧光屏，由于间距很近(约 lmm)，所以称为近贴聚焦的电子光学系统。 2．静电聚焦倒像式像管 它们都能形成轴对称的静电场。由静电场形成的电子透镜可使光阴极面上的物像发射出来的电子加速并聚焦于荧光屏上，并形成一倒像。 常用的单级静电聚焦倒像式像管的结构 在通常采用的双球面电极系统中，阳极头部曲面和光阴极球面以及荧光屏都是近似同心球面。由此构成近似的球形对称静电场，使轴外各点的电子主轨迹都是近似对称轴，从而使轴外象差如场曲、像散、畸变等都比双圆筒系统小。 三级级联像管示意图 在实际应用中，为了获得更高的亮度增益，将完全相同的单级像管，用光学纤维面板进行多级耦合。因此像管的输入窗和输出窗都是由光学纤维面板制成，以便将球面像转换为平面像来完成级间耦合。由于每级像管都成倒像，所以稠合的级数多取单数，通常为三级。该像管称为第一代像增强器。 3．电磁复合聚焦式像管 采用平面像场。在平面光阴极和荧光屏之间设置有环形电极，其上加有逐步升高的电压，沿管轴建立起上升的电位；同时管壳外设置有通以恒定电流的螺旋线圈而产生的均匀磁场，由此形成纵向的均匀电磁场。该电磁场使光阴极发射的电子加速并聚焦到荧光屏上成像。只要严格地控制电压和磁场，就可以得到良好的像平面，使荧光屏上获得较高的分辨力。但是由于复合聚焦系统结构复杂、笨重，给使用带来不方便。因此通常只在需要高性能的场合，如天文观察时才使用这种聚焦方式。 4．选通式像管 选通式像管是静电聚焦式像管。它是在普通二电极像管的结构上增加控制栅极而构成的 控制栅极是由靠近光阴极的栅网和阳极孔栏组成。当栅极电位低于光阴极电位时，则形成反向电场使光电发射截止；当正电位的工作脉冲施加在栅极上时，则构成聚焦成像的电场。由此实现了选通式工作状态。 5．变倍式像管 能够改变倍率的像管称为变倍式像管。它具有可变放大率的电子光学系统。由于变倍的同时也必然使焦距发生变化，因此在普通像管内除了加变倍电极外，同时还需要加聚焦电极来补偿像面的变动，所以变倍式像管是四电极结构。 5．变倍式像管 改变像管放大率是通过改变加在像管电极上的电压比值来实现的。当阳极电位与变倍电极电位相同时，像管的放大率等于1；当阳极电位逐渐降低，而变倍电极电位保持不变时，像管的放大率随之下降；阳极电位由15kV调节到3kV时，像管的放大率由 l变为0.2。同时还需改变调焦电极的电位来获得最佳聚焦，保持变倍时的成像质量。 6．带有微通道板(MCP)的像管(第二代像管) 第二代像管与第一代像管的根本区别在于：它不是用多级级联实现光电子倍增，而是采用在单级像管中设置微通