模电晶体管详解.pptVIP

2.3 晶体管BJT 一个PN结 二极管 单向导电性 二个PN结 三极管 电流放大（控制） 2.3.1 晶体管的结构与类型 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 一、分类： 按频率分有高频管、低频管 按功率分有小、中、大功率管 按材料分有硅管、锗管 按结构分有NPN型和PNP型 三极管的不同封装形式 金属封装 塑料封装 大功率管 中功率管 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。 二、晶体管的结构简介 1. NPN型 NPN管的电路符号 2.PNP型 PNP管的电路符号 正常放大时外加偏置电压的要求 问：若为PNP管，图中电源极性如何？ 发射区向基区注入载流子 集电结应加反向电压（反向偏置） 发射结应加正向电压（正向偏置） 集电区从基区接受载流子 三、 晶体管的电流放大 牢记！！ 2.电子在基区中的扩散与复合（IBN） 3.集电区收集扩散过来的电子（ICN） 另外,基区集电区本身存在的少子， 在集电结上存在漂移运动，由此形成电流ICBO 三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管 为双极型三极管，记为BJT (Bipolar Junction Transistor) 1.发射区向基区注入电子（IEN、IEP小） 1.三极管内载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 放大状态下BJT中载流子的传输过程 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= INC+ ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。 IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 所以 IC= ?IE+ ICBO ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 又：把 IE=IB+ IC 代入 IC= ?IE+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 整理得： 3. 三极管的三种组态 (c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 (b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； (a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； BJT的三种组态 共基极放大电路 4. 放大作用 若 ?vI = 20mV 电压放大倍数 使 ?iE = -1 mA， 则 ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， 当 ? = 0.98 时， 共基极放大电路只实现电压放大，电流不放大（控制作用） 三极管的放大作用,主要是依靠它的IE能通过基区传输,然后顺利到达集电极而实现的。故要保证此传输,一方面要满足内部条件,即发射区掺杂浓度要远大于基区掺杂浓度,基区要薄;另一方面要满足外部条件,即发射结正偏,集电结要反偏。 输入电压的变化,是通过其改变输入电流,再通过输入电流的传输去控制输出电压的变化,所以BJT是一种电流控制器件。 两个要点 特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线 输入特性曲线 输出特性曲线 2.3.3 晶体管的V-I 特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const. (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下iB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 共射极连接 管子正常工作时， 0.7V(硅管） 0.2V(锗管） 饱和区：vCE很小，iC?? iB，三极管如同工作于短接状态，一般vCE? vBE，此管压降称为饱和压降。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const. 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iB=0，iC＝ iCEO?0，三极管如同工作于断开状态，此时， vBE小于死区电压。 放大区： vBE Vth，vCE反电压大于饱和压降， 此时，发射结正偏，集电结反偏。 再次注意：管子正常工作时， 0.7V(硅管） 0.2V(锗管） (1) 共射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const. 1. 电流放大系数 2.3.4 BJT的主要参数 (2) 共射极交流电流放大系数? ? =?iC/?iB?vCE=const. (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈I