第3章 通信用光器件04级.ppt

PIN光电二极管的主要特性 光电转换量子效率：一次光生电子-空穴对和入射光子数的比值 也可以用一次光生电流和入射功率的比值:响应度来表示 噪声：包括散粒噪声和热噪声，用均方噪声电流来描述 量子效率和响应度取决于材料的特性和器件的结构。 在一定条件下：器件表面的反射率为零;P层和N层的量子效率 可以忽略；I层耗尽，则PIN光电管的量子效率近似为： 其中： 及w为I层的吸收系数及宽度 所以：w越大，η越大 量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱α(λ) 对长波长的限制由式λc=hc/Eg。 图3.22示出量子效率η和响应度ρ的光谱特性。 由图可见，Si适用于0.8~0.9μm波段， Ge和InGaAs适用于1.3~1.6 μm波段。 响应度一般为0.5~0.6 (A/W) 噪声：是反映光电二极管特性的一个重要参数，它直接影响 光接收机的灵敏度。 光电二极管的噪声包括由信号电流和暗电流产生的散粒噪声 和由负载电阻和后继放大器输入电阻产生的热噪声。 噪声通常用均方噪声电流(在1Ω负载上消耗的噪声功率)来描述。  均方散粒噪声电流  〈 i2sh〉=2e(IP+Id)B (3.22) 式中，e为电子电荷，B为放大器带宽， Ip和Id分别为信号电流和暗电流 式(3.22)第一项2eIpB称为量子噪声，是由于入射光子和所形成的电子 - 空穴对都具有离散性和随机性而产生的。只要有光信号输入就有量子噪声。这是一种不可克服的本征噪声， 它决定光接收机灵敏度的极限。  式(3.22)第二项2eIdB是暗电流产生的噪声。 暗电流是器件在反偏压条件下，没有入射光时产生的反向直流电流，它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流。暗电流与光电二极管的材料和结构有关，例如Si-PIN， Id1nA，Ge-PIN ， Id100nA。 均方热噪声电流: 〈i2T〉= (3.23) 式中，k=1.38×10-23J/K为波尔兹曼常数，T为等效噪声温度，R为等效电阻，是负载电阻和放大器输入电阻并联的结果。  因此， 光电二极管的总均方噪声电流为 〈i2〉=2e(IP+Id)B+ 3.2.3 雪崩光电二极管（APD） 雪崩光电二极管是利用光生载流子在耗尽区内的雪崩倍增效应，从而产生光电流的倍增作用 所谓雪崩倍增效应是指PN结外加高反向偏压后，在耗尽区内形成一个强电场。当耗尽区吸收光子时，激发出来的光生载流子被强电场加速，以极高的速度与耗尽区的晶格发生碰撞，产生新的光生载流子，并形成链锁反应，从而使光电流在光电二极管内部获得倍增 存在一个击穿电压UB APD具有转换效率高、响应速度快和附加噪声低等特点 倍增因子：APD输出光电流和一次光电流的比值 APD的转换效率是PIN的g倍，可表示为 噪声 APD对量子噪声直接放大之外，还产生新的噪声，表示为过剩噪声因子F。F是倍增因子的倍数。因此量子噪声为 暗电流噪声为 3.3 光无源器件 连接器和接头 光耦合器 光隔离器与光环形器 光调制器 光开关 3.3.1 连接器与接头 连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸(活动)连接的器件。主要用于光纤线路中光纤与其他器件的活动连接。 接头：光纤与光纤之间的固定连接。 连接器 单芯连接器结构如图 套管和插针保证光纤对中连接 低插入损耗要求： －端面适配、直线连接 －球端面或斜面 3.3.2 光耦合器 功能：把一路光信号分配给多路输出或将多路光信号组合成一路输出 对光路影响： －插入损耗 －反射及串扰噪声 耦合器类型： －T型耦合器 －星型耦合器 －定向耦合器 －波分复用/解复用器 图 3.28 常用耦合器的类型 耦合器基本结构 光纤型 微器件型 波导型 图 3.29光纤型耦合器 (a)定向耦合器； (b) 8×8星形耦合器； (c) 由12个2×2耦合器组成的8×8星形耦合器 光纤型耦合器结构 定向耦合器 由耦合理论： 调节a、b的有效长度使： 当Pa(λ1)最大时,Pa(λ2)=0 当Pb(λ2)最大时,Pb(λ1)=0 图 3.30 光纤型波分解复用器原理 主要特性 耦合比： 附加损耗： 插入损耗 方向性（隔离度） 一致性： －耦合比的均匀性 3.3.3 光隔离器与光环形器 隔离器：只允许光向一个方向传播 主要用于激光器或放大器后面 主要参数： －插入损耗：对正向入射光 －隔离度：对反向反射光 几个概