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第三章 制造和版图 3.1 IC制造工艺 3.2 版图基础 3.1 IC制造工艺 单（N）阱槽隔离 CMOS 工艺 现代 CMOS 工艺—双阱槽隔离 多层金属互连 互连的电容和电阻 电容计算中的连线尺寸 工艺等比例缩小时的互连线横截面 3.2 版图基础 两类设计规则：精度和定位 最小尺寸晶体管的两种可选版图 CMOS 工艺层次 0.25 μm CMOS 工艺层次 同一层设计规则 晶体管版图设计规则 通孔（Via） 和接触孔（ Contact） 选择层（离子注入等） CMOS 反相器版图 * * Layer Polysilicon Metal1 Metal2 Contact To Poly Contact To Diffusion Via Well (p,n) Active Area (n+,p+) Color Representation Yellow Green Red Blue Magenta Black Black Black Select (p+,n+) Green 金属2 Metal2 4 3 10 9 0 阱Well 有源区 Active 3 3 多晶硅 Polysilicon 2 2 不等电势 Different Potential 等电势 Same Potential 金属1 Metal1 3 3 2 引线孔Contact 或 通孔Via 选择层 Selec