12电力电子器件(BJT_MOSFET_IGBT)(邹家兵)分析.pptVIP

电力半导体器件  1.1 电力半导体器件种类与特点 1.2 功率晶体管 1.3 功率场效应管 1.4 绝缘栅极双极型晶体管 1.5 主要电力半导体器件特性比较 1.1 电力半导体器件种类与特点 1.1.1 半导体器件分类 从功率等级来分类 有微功率器件、小功率器件、大功率器件等等 制造材料分类 有锗管、硅管等等 从导电机理分类 有双极型器件、单极型器件、混合型器件等等 从控制方式来分类 可分为不可控器件、半可控器件和全可控器件三类器件 1.1.3 电力半导体器件发展水平 在整流管类中，快速恢复二极管将有较大的发展 在高压直流输电中，晶闸管（光控晶闸管）将有很好的发展机遇。 在功率晶体管类中，以IGBT发展最为迅速 1.4.3 米勒效应的影响 1.4.4 IGBT的擎住效应 擎住效应 IGBT 为四层结构，体内存在一个奇生晶体管，其等效电路如图下图所 示。在V2的基极与发射极之间并有一个扩展电阻 Rbr，在此电阻上P型体区 的横向空穴会产生一定压降，对 J3 结来说，相当于一个正偏置电压。在 规定的漏极电流范围内，这个正偏置电压不大，V2不起作用，当Id大到一 定程度时，该正偏置电压足以使V2开通，进而使V2和V3处于饱和状态，于 是寄生晶体管开通，栅极失