第六章物理气相淀积解析.pptVIP

第六章 物理气相淀积 基本上，集成电路是由数层材质不同的薄膜组成，而使这些薄膜覆盖在硅晶片上的技术，便是所谓的薄膜沉积及薄膜成长技术－－薄膜淀积 淀积：就是指薄膜材料的沉积和生长等技术，指一种材料以物理方式沉积在晶圆表面上的工艺过程。 所淀积的薄膜可以是导体、绝缘材料或者半导体材料。比如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅以及金属（Cu、W） 薄膜特性 好的台阶覆盖能力 填充高的深宽比间隙的能力 好的厚度均匀性 高纯度和高密度 受控制的化学剂量 高度的结构完整性和低的膜应力 好的电学特性 对衬底材料或下层膜好的黏附性 膜对台阶的覆盖 我们期望薄膜在硅片表面上厚度一致，如果淀积的膜在台阶上过渡的变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或在器件中产生不希望的诱生电荷。膜的应力要尽可能的小，因为应力还可能导致衬底发生凸起或凹陷的变形。 高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔）深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值 薄膜生长的步骤 1.成核 2.核的生长 聚集成束， 也称为岛生长 3.连续的薄膜 淀积主要有两大类： 化学气相淀积 （Chemical Vapor Deposition：CVD） 物理气相淀积 （Physical Vapor Deposition: PVD）