气压对VHF-PECVD制备μc-Si：H薄膜特性影响研究分析.docVIP

气压对VHF-PECVD制备的μc-Si：H薄膜特性影响的研究.txt结婚就像是给自由穿件棉衣，活动起来不方便，但会很温暖。谈恋爱就像剥洋葱，总有一层让你泪流。 本文由wujinfeng05贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 维普资讯 第 ３ 卷 第 ３期　 ３ ２Ｏ Ｏ４年 ６月 　 人 工　 晶 体　 学 　 报　 Ｖ １３ 　 Ｎｏ ３ ０ ．３ ．　 Ｊ ＲＮ 　０ 　ｓ　ｊ唧 ＯＵ ＡＬ Ｆ １ ｒ Ｉ １ 　Ｃ ＹＳ Ａ Ｓ Ｃ Ｒ Ｔ Ｌ　 Ｊｎ ２ ｏ 　 ｕ ｅ．０ ４ 气压 对 Ｖ －Ｅ Ｖ ＨＦＰ Ｃ Ｄ制备 的　 －ｉＨ Ｓ： 　 薄膜 特性影 响 的研 究　 张晓丹， 朱 张德坤 ， 　 锋 ， 颖 ， 国付 ， 赵 侯 魏长春 ， 建 ， 孙　 任慧志， 薛俊明， 耿新华 ， 熊绍珍　 （ 南开大学光 电子所 ， 天津 ３０７） ００ １ 　 摘要 ： 文主要研究 了用 Ｖ ＦＰ ＣＤ方法制备 的不 同工作气 压的微 晶硅 薄膜 样品 。结 果表 明 ： 积速率 随反应 气　 本 Ｈ －Ｅ Ｖ 沉 压的增大而逐 渐增大 ； 光敏性 （ 电导 ／ 电导 ） 光 暗 和激 活能测 试结 果 给 出了相 同的变 化规 律 ； 傅立 叶红 外测试 、 ｘ射　 线衍射 和室温微 区喇曼谱 的结果都 表明 了样 品的晶化特性 ； 通过工 艺的具体优化 得出 了器件级 的微晶硅材料 。 　 关键词 ： 甚高频 等离子体增 强化学气相沉积 ； 微 晶硅薄膜 ； 叶变换红外光谱 ； 氢化 傅立 ｘ射线衍射 ； 区喇曼光谱　 微 中图分类号：Ｋ １ Ｔ ５　 文献标识码 ：　 Ａ 文章编号 ： ０－８Ｘ ２０）３ ４４０　 １ ０ ５ （０４０－ １－ ０ ９ ０ ５ Ａ　 ｔ ｄ 　 ｎ ｔ ｅ Ｉ ｆｕ ｎ ｅ ｏ 　 ｐ ｓｔ ｎ Ｐ ｅ ｓ ｒ 　 ｎ ｔ ｅ Ｐ ｏ ｅ ｔ ｓ ｏ 　 ｅ ｓ ｕ ｙ ｏ 　ｈ 　ｎ ｅ ｃ 　 ｆＤｅ ｏ ｉ ｏ 　 ｒ ｓ ｕ ｅ ｏ 　ｈ 　 ｒ ｐ ｒ ｅ 　 ｆｔ 　 ｌ ｉ ｉ ｈ ｐｃ Ｓ ：Ｈ　 ｉ 　 ａ ｒｃ ｔｄ ｂ 　 —ｉ Ｆｌ Ｆ ｂ ｉａｅ 　 ｙ ＶＨＦ— ＥＣＶＤ　 ｍｓ Ｐ Ｚ ＮＧ　 ｉｏ ｄ ｎ，Ｚ ＨＡ Ｘａ －ａ ＨＵ　 ｅｇ，Ｚ ＡＯ Ｙｎ Ｆｎ Ｈ 　 ｉｇ，ＨＯＵ 　 ，ＷＥ 　 ｈ ｎ －ｈ ｎ，Ｓ Ｎ　ｉｎ， ＩＣ ａ ｇ ｃ ｕ Ｕ Ｊａ 　 Ｚ Ａ 　 －ｕ Ｈ ＮＧ Ｄｅｋ ｎ，Ｒ Ｎ　 ｉ ｈ ，ＸＵ Ｊ ｎ ｍｉｇ，Ｇ ＮＧ Ｘｉ－ ｕ Ｅ Ｈｕ－ ｉ ｚ Ｅ　ｕ － ｎ Ｅ 　 ｎ ｈ ａ，ＸＩ ＮＧ Ｓ ａ －ｈ ｎ Ｏ 　 ｈ ｏｚ ｅ 　 （ｎｔｕｅｏ　ｈｔ ｅ ｅ ｍｉｓ ａｋｉ ｎｖｒｔ，Ｔ衄ｊ 　００ １ ｈｎ ） Ｉｓｔｔ ｆ ｏ －ｌ ｔ ｅ，Ｎ ｎａ Ｕ ｉ ｓｙ ｊ ｉ ３０ ７ ，Ｃ ｉａ　 ｉ 　 Ｐ ｏ ｅｒ 　 ｅｉ ｎ （ ∞矗 ５Ｎ ｍｎ ２Ｏ ） Ｒ ｅ　 　 ｏ ｌ Ｏ ３　 ￣ Ａｈ鼬耐 ：ａ ｌｓｐ ｅ ａｅ 　ｔ ｉｅｅ ｔ ｅ ｏｉｏ 　 ｒｓｕｅｂ 　 ＨＦ Ｐ Ｃ 　 ｒ　 ｕ ｉｄ． ｈ 　ｅｅｒｈｒｓｌ 　 Ｓ ｍｐｅ　ｒｐ ｒｄ ａ　 ｆ ｒｎ　 ｐ ｓｔ ｎ ｐｅｓｒ　ｙＶ － Ｅ ＶＤ ｗｅｅｓ ｄｅ Ｔ ｅｒｓａ ｃ 　ｅｕｔ ｄ ｄ ｉ ｔ ｓ ｓ ｏ ｄ ｔａ　ｈ 　 ｅ ｏｉｏ 　ａｅ ｉ ｇａ ｕ ｌ 　 ｎ ａ ｃｄ ｗ ｔ　ｈ 　ｎ ｒａ ｅ ｏ　 ｅ ｏｉｏ 　 ｒｓｕｅ ｔｅ ｉｅ ｔ ａ　 ｈ ｗｅ 　 ｔｔｅ ｄ ｐ ｓｔ ｎ ｒｔ　ｓ ｒｄ ａｌ ｅ ｈ ｎ ｅ 　 ｉ ｔｅ ｉｃｅｓ 　ｆｄ ｐ ｓｔ ｎ ｐｅｓ ｒ ； ｈ 　ｄ ｎｉ ｌ ｈ ｉ 　 ｙ ｈ ｉ ｃ ｒｇ ｌｒｉ ｉｄｃ ｔｄ ｂ 　ｈ 　ｅｕｔ ｏ　 ｈ ｔ ｅ ｓｔ ｉ 　ｎ 　 ｃｉ ｔ ｎ ｅ ｅｇ ．Ｔ ｅ ｒｓ ｌ 　 ｆＦｏ ｒ ｒｎ ｎ ｆ 　 ｅｕａ　 　 ｉａｅ 　 ｙ ｔｅ ｒｓｌ 　 ｆｐ ｏｏ ｎ ｉｖｔ ａ ｄ ａ ｔ ａ ｏ 　 ｎ ｒｙ ｈ 　ｅｕｔ ｏ　 ｌｕ ｉ 　 ａ 　０ ｓｎ ｓ ｓ ｉ ｙ ｖｉ ｓ ｅ ｍｌ ｉｆ ｒｄ ， ｒｙ ｄｆ ａ ｔ ｎ ａ ｄ ｒｏ ｔ ｅａｕｅ ｍｉｒ－ ｍａ 　ｐ ｃｒ　 ｅ ｎ ｔ ｔｄ ｔｅ ｃｙｔｌＴｔ ｎ ｏ