相变存储器课件.pptVIP

PCM存在的问题 存储密度有待进一步提高．虽然随着技术进步，相变存储器的存储密度在不断提高，但是目前各厂商量产的产品最大容量为1GB，这距离一种存储介质可以被广泛应用和普及还有较大的差距。 单位存储密度成本较高。由于大容量的相变存储器产品还没有量产，所以相变存储器的应用还不够广泛，导致相变存储器的成本不能快速降低，这在一定程度上制约了相变存储器的应用和普及。 耐写能力相比DRAM和磁盘不足。目前相变存储器的耐写能力为108～ 1012次，按照平均使用频率计算使用寿命大约为3年，这相比DRAM和磁盘的1015次写寿命有着较大的差距。 年份 个人/公司 发展/进展 1962 A. David Pearson et al. AsTeI存在两个稳定的可逆电阻状态 1968 S.R.Ovshinsky 相变阈值转换 1970 R.G.Neale et al. 256 bit相变存储器 1972 J. Feinleib et al. 可逆光存储器 1973 IEEE电子器件二月特刊 非晶态半导体器件 1978 R.R.Shanks et al. 1024 bit双极存储器 1990 松下公司（Panasonic） R/W 相变光盘驱动器 1999 Tyler Lowrey、Ward Parkinson与能量转换器件公司 成立Ovonyx公司 英国宇航系统公司 与Ovonyx签署奥弗辛斯基统一存