晶体的生长机理课件.pptVIP

晶体的生长机制 一、概述 晶体生长机理本质上就是理解晶体内部结构、 缺陷、 生长条件和晶体形态之间的关系。通过改变生长条件来控制晶体内部缺陷的形成 ,从而改善和提高晶体的质量和性能 ,使材料的强度大大增强 ,开发材料的使用潜能。 晶体生长研究已从一种纯工艺性研究逐步发展形成晶体制备技术研究和晶体生长理论研究两个主要方向。 两者相互渗透、 相互促进。晶体制备技术研究为晶体生长理论研究提供了丰富的对象;而晶体生长理论研究又力图从本质上揭示晶体生长的基本规律 ,进而指导晶体制备技术研究。 二、晶体生长的基本过程 从宏观角度看 ,晶体生长过程是晶体 — 环境相(蒸气、 溶液、 熔体)界面向环境相中不断推移的过程 ,也就是由包含组成晶体单元的母相从低秩序相向高度有序晶相的转变。 从微观角度来看 ,晶体生长过程可以看作一个 “基元” 过程 ,所谓 “基元” 是指结晶过程中最基本的结构单元 ,从广义上说 , 可以是原子、 分子 ,也可以是具有一定几何构型的原子(分子)聚集体。 “基元” 过程的主要步骤： 三、晶体的生长机理 扩散控制机理 从溶液相中生长出晶体 ,首要的问题是溶质必须从过饱和溶液中运送到晶体表面 ,并按照晶体结构重排。若这种运送受速率控制 ,则扩散和对流将会起重要作用。当晶体粒度不大于10μm时 ,在正常重力场或搅拌速率很低的情况下 ,晶体的生