第6章-单沟道MOS逻辑集成电路祥解.pptVIP

第六章 单沟道MOS逻辑集成电路 内容提要 1：各种单沟道MOS倒相器的结构分析、性能分析 2：不同倒相器之间的比较 3：单沟道MOS逻辑集成电路的构成 MOS逻辑集成电路是继双极型晶体管集成电路获得应用之后迅速发展的另一类型集成电路。 由于采用电压控制型器件MOSFET，比之双极型集成电路，其突出优点是功耗低，占用芯片面积小，因此其集成度高，功耗小。这正好符合了集成电路的发展方向。可以广泛应用于航天，微处理机，空间技术，军事系统等领域。 最早出现的MOS逻辑集成电路是P沟MOS电路。其突出的优点是制作容易成本低，但速度低，电源电压高。 对一个MOS门电路，其状态的改变取决于对栅电容的充放电。因此速度及扇出都受栅电容的影响。这也是早期MOS电路的发展较缓的原因之一。 随着工艺技术的发展，出现了NMOS电路。由于电子表面迁移率较空穴表面迁移率高出三倍，因此在同样的几何尺寸下。NMOS管的导通能力大大增强，意味着其工作速度更快。另外，由于NMOS管阈值电平较低，其电源电压也相应降低。 因此，目前NMOS电路得到解决了广泛的应用。 为进一步提高电路性能，所谓短沟道MOS电路正迅速发展。主要有两种：