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第一章 半导体器件及其放大电路 1.1半导体基本知识 本节主要内容: ①半导体的基本知识，主要讨论半导体器件的核心环节-----PN 结。本征半导体、杂质半导体、PN结等； ②半导体二极管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用 ③二极管主要技术参数 ④二极管应用电路 主要名词： 半导体、本征半导体、N型半导体、P型半导体 半导体基本知识 半导体 半导体的最外层电子数一般为4个，在常温下存在的自由电子数介于导体和绝缘体之间，因而在常温下半导体的导电能力也是介于导体和绝缘体之间。 常用的半导体材料有硅、锗、硒等。 半导体的独特性能 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数量 极少导电能力仍然很低。如果在其中掺入某种元素的微量杂 质，将使掺杂后的杂质半导体的导电性能大大增强。 掺入五价元素的杂质半导体由于自由电子多而称为电子型半导体，也叫做N型半导体。 掺入三价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自由电子载流子的数量而称为空穴型半导体，也叫做P型半导体。 PN结是一切半导体器件的“元概念”和技术起始点。 1.2 半导体二极管及其特性 把PN结用管壳封装，然后在P区和N区分别向外引出一个电 极，即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基本的半导 体器件之一。根据其用途分有检波管、开关管、稳压管和整流 管等。 二极管的结构类型 二极管的伏安特性 二极管电路的分析方法 图解分析法 简化模型分析法 理想模型：正向偏置时，其管压降为0V，而当二极管处于反向偏置时，认为其电阻为无穷大，电流为0 A。 恒压降模型：基本思想是当二极管导通后，认为其管压降是恒定的，且不随电流而变，典型值为0.7V。 折线模型：为了较真实地描述二极管U-I特性，在恒压降模型的基础上，作一定的修正，即认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加。用一个直流电源（选定为二极管的开启电压，约为0.5V）和一个电阻来作进一步的近似。 4.小信号模型 在二极管不能作理想化等效的情况下，分析和估算二极管对交流信号的影响，及其小信号等效电路模型需从二极管的交流等效电阻开始讨论。 特殊二极管介绍 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 光电二极管也称光敏二极管，同样具有单向导电性，是将光 信号变成电信号的半导体器件，其核心部分也是PN结。 变容二极管 二极管两端的电容特性随着电压的改变而变化，可以用于电视 机、收音机等的高频接受部分，用于调台使用。 二极管的应用 1.3 三极管及其特性 显然，双极型三极管具有电流放大能力。 三极管的电流放大倍数，称为β值。 不同型号、不同类型和用途的三极管，β值的 差异较大，大多数三极管的β值通常在几十至 几百的范围。 即：微小的基极电流IB可以控制较大的集电极 电流IC，故双极型三极管属于电流控制器件。 例2.若测得放大电路中的6个三极管的三个引脚对地电位U1、 U2、U3分别为下述数值，试判断它们是硅管还是锗管，是NPN 型还是PNP型？并确定e、b、c极。 ① U1 = 2.5V U2 = 6V U3 = 1.8V ② U1 = 2.5V U2 = -6V U3 = 1.8V ③ U1 = -6V U2 = -3V U3 = -2.8V ④ U1 = -4.8V U2 = -5V U3 = 0V ① NPN型，且1脚为b极，3脚为e极 ②PNP型硅管，且3脚为b极，1脚为e极，2脚则仍为c极 ③PNP型，且2脚为b极，3脚为e极 ④NPN型锗管，2脚为e极，1脚为b极 1.4 放大电路基本组成与分析 放大电路的核心元件是晶体管，放大电路若要实现对输入小信号的放大作用，必须首先保证晶体管工作在放大区。 晶体管工作在放大区的外部偏置条件是：发射结正向偏置、集电结反向偏置。 ui =ibrbe ，uo=－βib(Rc //RL）= －βR?L ib ，故电压放大倍数式中R?L=RC ∥RL，负号表示共射电路的倒相作用。 又由该图得：ui=ii (Rb//rbe )，故输入电阻考虑到Rbrbe，则 2.分类和电路符号 目前国内生产的双极型硅晶体管多为NPN型(3D系列)，锗晶体管多为PNP型(3A系列)，按频率高低有高频管、低频管之别；根据功率大小可分为大、中、小功率管。 NPN型三极管图符号 大功率低频三极管 小功率高频三极管 中功率低频三极管 e c b PNP型三极管图符号 e c b 注意：图中箭头方向为发射极电流的方向。 电路符号 3. BJT的电流放大