多元化合物薄膜太阳电池解析：.pptVIP

神八一共两个太阳翼，每个太阳翼有四块太阳电池板，每块板的尺寸是一米五三乘两米，所以伸展出去有好几米长。 每一块板都布满了太阳电池。一共要有几千片太阳电池。 太阳电池在船上翅膀上是通过串并联方式组成一个太阳电池阵，这个太阳电池阵在空间的时候，在光照期是为飞船的负载供电，同时为蓄电池充电，在阴影期，太阳电池就不能再发电了，就是通过蓄电池为负载供电。 神八的太阳电池都采用的三节砷化镓这种新型的电池，原来从神一到神六采用的是硅太阳电池，他们俩最大的区别就是太阳电池发电效率。硅太阳电池，以前采用的是14.8%的效率的太阳电池，现在神八和“天宫一号”采用的都是26.8%的高效的三节砷化镓太阳电池。 神舟九号飞船强大的心脏：太阳能电池和储能系统 基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电系统 用数据说话~ 据了解，从神一到神七，飞船“翅膀”上安装的都是晶硅太阳能电池，但神九采用的三结砷化镓电池，其光电转化效率可达30%左右，较之以前的晶硅电池，其光电转化效率提高了50%以上;与之前同样面积的太阳能帆板相比，其使所发出的电能也增加了50%以上。 目前市场上的砷化镓电池 据悉，目前某些国内企业正在从事将三结砷化镓太阳电池应用于地面的工作，通过减小电池的面积，用聚光材料把数百倍的太阳光聚焦到非常小的电池片上，以减少成本;此外还需要安装对日跟踪装置追随阳光踪迹，在聚光条件下其理论光电转换效率可达到40%。 “不过，目前三结砷化镓太阳电池工艺复杂、生产成本还非常高，还要解决很多问题，所以暂时难以进入大规模推广阶段。”据孟宪淦透露，目前三结砷化镓电池的成本高达数千元/瓦，远高于目前15元/瓦的普通多晶硅电池系统成本。然而，有业内人士预测，在未来几年，随着生产技术的持续进步，聚光型砷化镓太阳电池地面应用成本有望不断下降，并逐渐进入快速发展阶段。 Ge电池 应用于太空方面的Ⅲ-V族多结太阳电池，通常是以镉当基板。这主要是因为镉的制造成本较低，及具有优于砷化镓的机械性能，此外其晶格常数非常接近砷化镓（Ge=0.5657906nm， GaAs=0.565318nm），具有很好的匹配性。 但是镉也具有一些缺点，例如镉为非直接能隙材料，使得开路电压Voc仅能达到300mV，而且其开路电压对温度很敏感。 GaAs电池 GaAs外延层的品质指标在于薄膜表面的粗糙度及晶格缺陷。根据研究，如果在GaAs中添加1% In，所形成的Ga0.99In0.01As外延的品质会优于一般的GaAs外延。 在GaAs电池上面的窗口层，通常可采用AlxIn1-xP或GaxIn1-xP薄膜。理论上而言AlxIn1-xP比GaxIn1-xP更适合当窗口层，因为其具有大的能隙。但由于AlxIn1-xP对于气污染相当敏感，所以比较难与GaAs形成好的接合品质。因此GaxIn1-xP薄膜反而比较常用来当窗口层。 此外在GaAs电池下面的GaxIn1-xP薄膜，是作为背面效场层的目的。 GaInP电池 在GaAs上面生长出的GaxIn1-xP薄膜，其能隙大小，除了跟组成有关，也与GaxIn1-xP薄膜的生长条件及品质有关，例如生长温度、生长速率、磷的分压及掺杂物的浓度等。 GaxIn1-xP薄膜的掺杂物 n-型掺杂物 硒（Se）是常被用在Ⅲ-V族化合物当N-掺杂物的元素， 当硒的浓度增加到使电子浓度达到2×1018/cm3以上时GaInP的能隙会增加，薄膜的生长表面会变得比较平滑，但硒的浓度过高时，薄膜的生长表面又会变得粗糙。 硅也是常用于Ⅲ-V族化合物的N-掺杂物的元素，跟硒的特性一样，当硅的浓度高于特定临界值时，它也会使得GaInP的能隙增加。 p-型掺杂物 GaInP薄膜中最常使用的p-掺杂物为锌（Zn）。 当载流子浓度达到1×1018/cm3以上时，锌就会破坏GaxIn1-xP薄膜的规则性而增加能隙大小。而且当锌的浓度较高时，它会引起GaInP及AlGaInP中的In含量的降低。此外，Zn在外延层之间的扩散，会导致太阳电池效率的降低。 InP基太阳电池 InP早在1958年即被用在太阳电池上，最初的效率只有2.5%。但直到1984年，研究发现InP太阳电池最引人注目的特点是它的抗辐射能力强，不但远优于Si电池，也远优于GaAs基系电池。 所以在Ⅲ-V族太阳电池中，除了GaAs基系电池外，InP基系电池也备受瞩目。 InP特性 InP也是具有直接能隙的半导体材料，它对太阳光谱中最强的可见光及近红外光波段也有很大的光吸收系数，所以InP电池的有效厚度只需要3um左右。 此外，InP的能隙宽度为1.35eV，也处在匹配太阳光谱的最佳能隙范围内，电池的理论能量转换效率和温度系数介于GaAs电池与Si电池之间。 InP的表面再结合速度远比GaAs的表面再结合速度还低，所以只要使用简单的p-n接合即可得