2010年上海半导体材料学术年会论文(最新).ppt

5、载流子复合寿命测量中的干扰因素 5.1 陷阱效应 有些硅单晶和铸造多晶中载流子陷阱效应很显著。如果样品中存在电子或空穴的陷阱，则在光脉冲停止之后的一个相对较长的时间内，相反类型的过剩载流子的浓度会维持高水平，导致光电导衰退曲线拖长尾巴，在衰退曲线的这一部位进行测量时，将导致时间常数错误的被测长。 P型Si中还存在非平衡载流子多次陷落现象，即陷阱中激发出来的电子绝大部分再次落入陷阱，只有少数复合，这样就大大加长了弛豫的时间。陷阱是由一些有特殊能级位置的杂质形成的，这些能级位置接近费米能级上方。 为了克服陷阱对载流子寿命测量的干扰，通常建议将样品加热到50 ～70 ℃或用稳态背景泛光照射样品。 5.2 硼、氧对寿命测量的干扰 在P型含硼硅单晶中或在补偿度较高的N型硅中，Fe原子如是以间隙式存在，将起深施主能级的作用，是十分有效的复合中心（电子俘获截面6×10-14cm2），但在室温下Fe经过数小时，到几天的变动期，这些施主缺陷将与替位式的硼受主结成稳定的FeB偶，FeB偶的俘获截面是б ≈5×10-15cm2,比Fe小10倍。这样的络合物，测试前必须加以消除，方法是在210 ℃经10分钟退火，接着在水中淬火至室温保存，这时试样中的铁原子即恢复原有的状态，测量出的寿命值比较真实而不会虚高。 有的研究工作还发现硅中氧浓度较高时，氧吸附在重金属杂质Cu、Fe等周围，对复合中心Cu、Fe等起屏蔽作用，同时这部分氧对“少数载流子”又起粘附作用，导致少子寿命增长，这种高寿命有人称假寿命。当热处理后吸附的氧变成（si-o）复合体，上述作用消失，少子寿命降低，接近真实值。在1000 ～1300 ℃之间热处理，氧变成SiO2沉淀，“假寿命”现象减轻，同时稳定了器件制造过程中硅单晶的电阻率和少子寿命。 近几年讨论得较多的硼氧复合体也是影响寿命测量的因素，很多研究工作证实了氧含量较高（如7 ～ 8×1017cm-3）的掺硼直拉单晶硅和铸造多晶硅，光照产生氧硼对，其密度随着硼含量的增加而升高，这些亚稳缺陷也是载流子复合中心，会使寿命值下降，从而引起太阳电池光电转换效率的衰退。在测量晶体硅寿命的实验中，我们观察到用稳态光照射铸造多晶硅后，载流子寿命明显下降的现象，也观察到部分太阳能级硅单晶长时间光照后寿命下降的现象。 主要参考文献： 黄昆 谢希德 半导体物理学 SEMI MF 1535-0707 TEST METHOD FOR CARRIER RECOMBINATION LIFETIME IN SILICON WAFERS BY NON-CONTACT MEASUREMENT OF PHOTOCONDUCTIVITY DECAY BY MICROWAVE REFLECTANCE Blakemore , J . S. Semiconductor Statistics , (Dover Publications , New York, 1987) 杨德仁 太阳能电池材料 广州市昆德科技有限公司 单晶硅非平衡少数载流子寿命测试文集 * 广州市昆德科技有限公司 Guangzhou Kunde Technology Co., Ltd. 网址： Email：gzkunde@163.com R 广州市昆德科技有限公司 Guangzhou Kunde Technology Co., Ltd. 网址： Email：gzkunde@163.com R 广州市昆德科技有限公司 Guangzhou Kunde Technology Co., Ltd. 网址： Email：gzkunde@163.com R 广州市昆德科技有限公司 Guangzhou Kunde Technology Co., Ltd. 网址： Email：gzkunde@163.com R 广州市昆德科技有限公司 Guangzhou Kunde Technology Co., Ltd. 网址： Email：gzkunde@163.com R 广州市昆德科技有限公司 Guangzhou Kunde Technology Co., Ltd. 网址： Email：gzkunde@163.com R 广州市昆德科技有限公司 Guangzhou Kunde Technology Co., Ltd. 网址：