半导体物理学第三章教程分析.pptVIP

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 半导体物理学 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子 pn结 金属和半导体的接触 半导体表面与MIS结构 半导体异质结构 第3章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度3.2 费米能级和载流子的统计分布3.3 本征半导体的载流子浓流3.4 杂质半导体的载流子浓度3.5 一般情况下的载流子分布3.6 简并半导体3.7补充材料：电子占据杂质能级的概率 T0 本征激发 （intrinsic excitation） electron-hole pair 复合:反过程 杂质激发和复合 动态平衡 温度改变：达到新的平衡 热平衡状态 载流子：电子、空穴 在一定温度下，载流子的产生和载流子的复合建立起一动态平衡，这时的载流子称为热平衡载流子。 半导体的热平衡状态受温度影响，某一特定温度对应某一特定的热平衡状态。 半导体的导电性受温度影响剧烈。 3.1 状态密度 目标：电子和空穴浓度 要计算半导体中的导带电子浓度，必须先要知道导带中单位能量间隔内有多少个量子态（状态密度）。 从而dE间隔内量子态dZ 又因为这些量子态上并不是全部被电子占据，因此还要知道能量为E的量子态被电子占据的几率是多少（分布函数f(E)）。 将两者相乘后