第十章金属化与平坦化分析报告.pptVIP

第十章 金属化与平坦化 概 述 金属化是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜，通过光刻形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。金属线被夹在两个绝缘介质层中间形成电整体 随着电子工业的迅速发展，工艺技术快速进步，已达到极大规模集成电路（ULSI）阶段。而金属化（Metallization）成为一个极为重要的关键步骤 互连金属 在微电子工业硅晶集成电路中金属薄膜主要用于 1.欧姆接触（Ohmic Contact） 2.肖特基接触（Schottky Barrier Contact） 3.低阻栅电极（Gate Electrode） 4.器件间互联（interconnect） 对IC金属化系统的主要要求 (1) 低阻互连 (2) 金属和半导体形成低阻接触 (3) 与下面的氧化层或其它介质层的粘附性好 (4) 对台阶的覆盖好 (5) 结构稳定，不发生电迁移及腐蚀现象 (6) 易刻蚀 (7) 制备工艺简单 金属化的几个术语 接触（contact）：指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接 互连（interconnect）：由导电材料，(如铝，多晶硅或铜)制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分 通孔（via）：通过各种介质层从某一金属层到相邻的另一金属层形成电通路的开口 “填充薄膜”是指用金属薄膜填充通孔，以便在两金属层之间形成电连接。 层间介质（ILD）是绝缘材料，它分离了金属之间的电连接。ILD一旦被淀积，便被光刻成图形、刻蚀以便为各金属层之间形成通路。用金属（通常是钨 W）填充通孔，形成通孔填充薄膜。 10.1 形成欧姆接触的方式 高复合欧姆接触 高掺杂欧姆接触 10.2合金化 合金化的目的是使接触孔中的金属与硅之间形成低阻欧姆接触，并增加金属与二氧化硅之间的附着力 在硅片制造业中，常用的各种金属和金属合金 铝 铝铜合金 铜 硅化物 金属填充塞 阻挡层金属 硅和硅片制造业中所选择的金属 (at 20°C) 金 属 铝 在半导体制造业中，最早的互连金属是铝，目前在VLSI以下的工艺中仍然是最普通的互连金属。 铝在20℃时具有2.65μΩ-cm的低电阻率，另一方面，铝能够很容易和二氧化硅反应，加热形成氧化铝（AL2O3），这促进了氧化硅和铝之间的附着。还有铝容易淀积在硅片上。基于这些原因，铝仍然作为首先的金属应用于金属化。 铜、金及银的电阻率比铝稍低，可以减少信号的延迟，提高芯片的工作速度。然而铜和银都比较容易腐蚀，在硅和二氧化硅中有高的扩散率，这些都阻止它们被用于半导体制造。在21世纪制造高性能IC工艺中，铜互连金属有望取代铝。 欧姆接触 为了在金属和硅之间形成欧姆接触，可通过加热完成。（通常在惰性气体或还原的氢气环境中，在400～500℃进行，此过程也被称为低温退火或烧结） 欧姆接触用特殊的难熔金属（以硅化物形式出现的钛），在硅表面作为接触以减小电阻、增强附着（见下图）。 欧姆接触结构 解决spiking问题的方法 一种方法是在Al中掺入1-2% Si以满足溶解性 另一种方法是利用扩散阻挡层( Diffusion Barrier ) 常用扩散阻挡层：TiN, TiW 较好的方法是采用阻挡层, Ti 或 TiSi2有好的接触和黏附性,TiN 可作为阻挡层 电迁移(electromigration)现象 电流携带的电子把动量转移给导电的金属原子，使其移动，金属形成空洞和小丘 由于铝的低电阻率及其与硅片制造工艺的兼容性，因此被选择为IC的主要互连材料。然而铝有众所周知的电迁徒引起的可靠性问题。由于电迁徒，在金属表面金属原子堆起来形成小丘（如图所示）如果大量的小丘形成，毗邻的连线或两层之间的连线有可能短接在一起。 当少量百分比的铜与铝形成合金，铝的电迁移现象会被显著的改善。 Al-Si-Cu (0.5%)合金是最常使用的连线金属 由于ULSI组件密度的增加，互连电阻和寄生电容也会随之增加，从而降低了信号的传播速度。 减小互连电阻可通过用铜取代铝作为基本的导电金属而实现。对于亚微米的线宽，需要低K值层间介质（ILD）。通过降低介电常数来减少寄生电容。 IC互连金属化引入铜的优点 1. 电阻率的减小：互连金属线的电阻率减小可以减少信号的延迟，增加芯片速度。 2. 功耗的减少：减小了线的宽度，降低了功耗。 3. 更高的集成密度：更窄的线宽，允许更高密度的电路集成，这意味着需要更少的金属层。 4. 良好的抗电迁徒性能：铜不需要考虑电迁徒问题。 5. 更少的工艺步骤：用大马士革 方法处理铜具有减少工艺步骤 20％ to 30 %的潜力。 对铜的挑战 与传统的铝互连比较，用铜作为半导体互连主要涉及三个方面的挑战，这些挑战明显不同于铝技术，在铜应用与IC互连之前必须解决： 1. 铜快速扩散进氧