第三章光源与光发送机2013分析报告.pptVIP

如图3.13所示，由有源层发射的光，一部分在光栅波纹峰反射(如光线a)， 另一部分继续向前传播，在邻近的光栅波纹峰反射(如光线b)。 光栅周期 Λ=m (3.10) ne 为材料有效折射率，λB为布喇格波长，m为衍射级数。 在普通光栅的DFB激光器中，发生激光振荡的有两个阈值最低、增益相同的纵模，其波长为 (3.11) 例：3.1.4及3.1.5（ page73 ） 多纵模到单纵模的选频过程 图3.1.28 （page73） DFB激光器与F-P激光器相比， 具有以下优点：  ① 单纵模激光器 ② 谱线窄， 波长稳定性好 ③ 动态谱线好 ④ 线性好 Hitachi HL7851G 多量子阱激光二极管 输出光波长：785nm 最大输出光功率：50mw 腔长：600微米 波长的电流调谐率：0.004nm/mA 波长的温度调谐率：0.05nm/°C 增益介质 GaAlAs 标称参数： 工作温度25°C时 半导体激光器的应用 …… 信息存储与处理 科学研究 军事 应用 光通信 半导体激光器的应用 医学 应用 3.1.4 发光二极管 LD 和LED的区别 LD发射的是受激辐射光 LED发射的是自发辐射光 LED的结构和LD相似，大多是采用双异质结(DH)芯片，把有源层夹在P型和N型限制层中间，不同的是LED不需要光学谐振腔， 没有阈值。 图 3.14两类发光二极管(LED) (a) 正面发光型； (b) 侧面发光型 发光二极管的类型：正面发光型LED和侧面发光型LED 发光二极管的特点： 输出光功率较小；谱线宽度较宽；调制频率较低；性能稳定，寿命长；输出光功率线性范围宽；制造工艺简单，价格低廉；适用于小容量短距离系统  发光二极管的主要工作特性：  (1) 光谱特性。 发光二极管发射的是自发辐射光， 没有谐振腔对波长的选择，谱线较宽，如图3.15。 图 3.15LED光谱特性 (2) 光束的空间分布。 在垂直于发光平面上， 正面发光型LED辐射图呈朗伯分布， 即P(θ)=P0 cosθ，半功率点辐射角θ≈120°。 侧面发光型LED，θ‖≈120°，θ⊥≈25°~35°。由于θ大，LED与光纤的耦合效率一般小于 10%。 正面发光型LED 侧面发光型LED (3) 输出光功率特性。 发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数，一般外微分量子效率ηd小于10%。两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图3.16。 驱动电流I较小时， P - I曲线的线性较好；I过大时，由于PN结发热产生饱和现象，使P -I 曲线的斜率减小。 4 3 2 1 0 50 100 150 0℃ 25℃ 70℃ 电流/mA 输出功率/ mW 原理：由正向偏置电压产生的注入电流进行自发辐射而发光 式中，f 为调制频率，P( f )为对应于调制频率 f 的输出光功率，τe为少数载流子(电子)的寿命。定义 fc 为发光二极管的截止频率，当 f = f c =1/(2πτe)时，|H(fc)|= ， 最高调制频率应低于截止频率。  (4) 频率特性。 发光二极管的频率响应可以表示为 |H(f)|= (3.12) 图3.17示出发光二极管的频率响应， 图中显示出少数载流子的寿命τe和截止频率 fc 的关系。 对有源区为低掺杂浓度的LED， 适当增加工作电流可以缩短载流子寿命，提高截止频率。 图 3.17 发光二极管(LED)的频率响应 3.1.5 半导体光源一般性能和应用 半导体光源的一般性能表： 3.1和表3.2列出半导体激光器(LD)和发光二极管(LED)的一般性能。  LED通常和多模光纤耦合，用于1.3 μm(或0.85 μm)波长的小容量短距离系统。因为LED发光面积和光束辐射角较大， 而多模SIF光纤或G.651规范