化学气相沉积法教案分析.pptVIP

3、溶胶-凝胶法 表面涂膜的利用是溶胶-凝胶法应用的一个新领域，其最初的应用就是涂膜。 例：目前广泛应用的玻璃表面的反射膜、防止反射膜以及着色膜就是用该法制得的。 溶胶-凝胶涂膜可以赋于基体各种性能，其中包括机械的、化学保护的、光学的、电磁的和催化的性能。 特点：工艺简单，成膜均匀，成本很低。 应用：大部分熔点在500℃以上的金属、合金以及玻璃等基体都可采用该流程制取薄膜。 溶胶-凝胶工艺的分类：有机途径和无机途径 有机途径：通过有机金属醇盐水解与缩聚而形成溶胶。 特点：在该工艺过程中，因涉及水和有机物，所以通过这种途径制备的薄膜在干燥过程中容易龟裂(由大量溶剂蒸发而产生的残余应力所引起)。客观上限制了制备薄膜的厚度。 无机途径：将通过某种方法制得的氧化物微粒，稳定地悬浮在某种有机或无机溶剂中而形成溶胶。 特点：通过无机途径制膜，有时只需在室温进行干燥即可，因此容易制得10层以上而无龟裂的多层氧化物薄膜。但是用无机法制得的薄膜与基板的附着力较差，而且很难找到合适的能同时溶解多种氧化物的溶剂。因此，目前采用溶胶·凝胶法制备氧化物薄膜，仍以有机途径为主。 溶胶-凝胶制造薄膜的特点： (A)工艺设备简单，成本低。 (B)低温制备。 (C)能制备大面积、复杂形状、不同基底的膜。 (D)便于制备多组元薄膜，容易控制薄膜的成分及结构。 (E)对基底材料几乎无选择性。 (F)以氧化物膜为主。 (G)膜致密性较差，易收缩，开裂。 制备氧化物薄膜的溶胶-凝胶方法： 浸渍提拉法(dipping)、旋覆法(spining)、喷涂法(spraying)及刷涂法(painting)等。 旋覆法和浸渍提拉法最常用。 浸渍提拉法的三个步骤：浸渍、提拉和热处理。 每次浸渍所得到的膜厚约为5-30nm，为增大薄膜厚度，可进行多次浸渍循环，但每次循环之后都必须充分干燥和进行适当的热处理。 旋覆法的两个步骤：旋覆与热处理。 基本过程：基片在匀胶台上以一定的角速度旋转，当溶胶液滴从上方落于基片表面时，它就被迅速地涂覆到基片的整个表面。溶剂的蒸发使得旋覆在基片表面的溶胶迅速凝胶化，接着进行一定的热处理便得到所需的氧化物薄膜。 二者比较：浸渍提拉法更简单些，但它易受环境因素的影响，膜厚较难控制；浸渍提拉法不适用于小面积薄膜(尤其当基底为圆片状时)的制备，旋覆法却相反，它特别适合于在小圆片基片上制备薄膜。 膜厚分析：在干燥过程中大量有机溶剂的蒸发将引起薄膜的严重收缩，这通常会导致龟裂，这是该工艺的一大缺点。但当薄膜厚度小于一定值时，薄膜在干燥过程中就不会龟裂。这可解释为当薄膜小于一定厚度时，由于基底粘附作用，在干燥过程中薄膜的横向(平行于基片)收缩完全被限制，而只能发生沿基片平面法线方向的纵向收缩。 膜厚的影响因素：溶胶液的粘度、浓度、比重、提拉速度(或旋转速度)及提拉角度，还有溶剂的粘度、比重、蒸发速率，以及环境的温度、干燥条件等。 式中，ρ是溶胶的相对密度；g是重力加速度；指数α接近于1/2，通常介于1/2与2/3之间。 实验结果表明，在浸渍提拉法中，膜厚d与溶液粘度η和提拉速度v的依赖关系可表示为 2、化学气相沉积法(CVD) 3、溶胶凝胶法 定义：利用气相反应，在高温、等离子或激光辅助等条件下控制反应气压、气流速率、基片材料温度等因素，从而控制纳米微粒薄膜的成核生长过程；或者通过薄膜后处理，控制非晶薄膜的晶化过程，从而获得纳米结构的薄膜材料。 分类：常压、低压、等离子体辅助气相沉积等。 应用：在制备半导体、氧化物、氮化物、碳化物纳米薄膜材料中得到广泛应用。 反应温度：大约为900～2000℃，它取决于沉积物的特性。 2、化学气相沉积法(CVD) 中温CVD(MTCVD)：典型反应温度大约为500～800℃，它通常是通过金属有机化合物在较低温度的分解来实现的，所以又称金属有机化合物CVD(MOCVD)。 等离子体增强CVD（PECVD）与激光CVD(LCVD)：气相化学反应由于等离子体的产生或激光的辐照得以激活，也可以把反应温度降低。 （1）CVD的化学反应和特点 (A)化学反应 CVD是通过一个或多个化学反应得以实现的。 ④水解反应 2AlCl3(g) +3H2O→Al2O3(s)+6HCl(g) ⑤复合反应。 包含了上述一种或几种基本反应。 沉积难熔的碳化物或氮化物时包括热分解和还原反应 CVD反应体系应满足的条件： (a)在沉积温度下反应物应保证足够的压力，以适当的速度引入反应室。 (b)除需要的沉积物外，其他反应产物应是挥发性的。 (c)沉积薄膜本身必须具有足够的蒸汽压，保证沉积反