界面与表面技术---薄膜教案分析.pptVIP

功能薄膜材料 薄膜技术是上世纪70年代开始迅速发展起来的一门科学，其研究涉及表面科学、材料科学、应用物理、微电子学、电子技术、真空技术等多个领域。 表面科学研究的范围通常是材料表面几个到几十个原子层，薄膜物理研究的范围通常是几十埃到几十个μm。 定义——通常认为l um以下厚度的膜为薄膜，以上者为厚膜。 薄膜材料的制备方法 物理方法 — 真空蒸发 — 磁控溅射 —离子束溅射 化学方法 — 化学气相沉积（CVD） —溶胶凝胶（Sol-Gel）法 物理气相沉积方法 气相沉积的基本过程 气相物质的产生: 一般用蒸发蒸镀和溅射镀膜的方法来实现。 气相物质的输运: 要求在真空中进行 气相物质的沉积: 是一个凝聚过程。根据不同条件，可以形成非晶态膜、多晶膜或单晶膜。 物理气相沉积（PVD）优点： ①沉积温度低,应用范围广 ②热变形小,可应用于精密部件(刀具、模具) ③没有废气排放，绿色环保 物理气相沉积（PVD）类型 真空蒸镀（Evaporation Deposition） 离子镀(Ion Plating) 溅射沉积(Sputtering) （1）真空蒸镀 镀材以热蒸发原子或分子的形式沉积成膜。 真空蒸镀的基本过程是：用真空抽气系统对密封的钟罩进行抽气，当真空度达到0.13Pa时，通过蒸发源对蒸发材料进行加热，使蒸发材料气化后沉积于基片表面，形成薄膜。 真空蒸镀的主要优点是工艺过程真空度高，因而膜层致密度及纯度很高，镀膜工艺过程及设备比较简单、易控制。 缺点:结合力比其他PVD法差，沉积速率不易控制，膜厚不均，沉积高熔点材料困难。 （2）离子镀 离子镀膜是在真空蒸发和溅射镀膜基础上发展起来的一种新的镀膜技术。 它既保留了CVD的本质，又具有PVD的优点。它通过组合蒸发粒子和反应性气体（O2、N2、CH等），应用于金属或非金属材料沉积超硬涂层、功能涂层和装饰性涂层，以获得各种高性能化合物膜，是陶瓷薄膜材料制备的重要方法之一。 离子镀膜时工件为阴极，蒸发源为阳极。进入辉光放电空间的金属原子离子化后奔向工件，并在工件表面沉积成膜。沉积过程中离子对基片表面、膜层与基片的界面以及对膜层本身都发生轰击作用，离子的能量决定于阴极上所加的电压 。 离子镀优点 ①与蒸发沉积相比，工件表面和沉积薄膜始终受到高能量的粒子轰击，膜层附着力强，组织致密、耐蚀性好 ②成膜速率高 ③膜与基体存在较宽的过渡界面层 离子镀缺点 ①基片必须承受较高的温度 ②涂层材料必须蒸发沉积，高熔点材料沉积困难 （3）溅射沉积 气体放电产生正离子在电场作用下高速轰击作为阴极的靶，使靶材中的原子或分子逸出而沉积到被镀工件表面，形成所需的薄膜。 直流溅射 溅射电源为直流电源，只适用金属和半导体材料溅射 射频溅射 溅射电源为射频电源，可溅射导体、半导体和绝缘体材料 磁控溅射 靶材背后安置强磁体，增强气体电离和电子对基体轰击可实现低温高速沉积 溅射沉积特点： ①溅射出粒子平均能量比真空蒸镀产生的粒子大，薄膜与基体结合性好 ②膜厚较真空蒸镀均匀，材料的溅射特性差别不如其蒸发特性差别大，易控制成分 ③任何材料（导电体、绝缘体、有机、无机）均能溅射成膜 磁控溅射沉积技术是应用最广泛的气相沉积技术！磁控溅射仪可以称为万能镀膜机。 化学气相沉积（CVD）特点 最先使用的气相沉积技术。 CVD是通过气相物质的化学反应在基材表面上沉积固态薄膜的一种工艺方法。 各种化学反应，如分解、化合、还原、置换等都可以用来产生沉积于基材的固体薄膜，而反应多余物可从反应室排出。 1 CVD的基本工艺过程 首先必须提供气化的反应物（在室温下可以是气、液和固态），通过加热等方式使其气化后导入反应室。 向反应室中的气体和基材提供能量。最常用的方法就是对反应室中的基材进行加热。 CVD过程为： 反应气体的获得且导入反应室；反应气体到达基材表面并进行吸附；基材上的化学反应；固体生成物在基材表面形核、生长；多余的反应产物被排除。 为实现这一过程，CVD的主要设备包括：反应气体的发生、净化、混合和导入装置，反应室和基材加热装置等。 2 CVD工艺方法： CVD中的化学反应温度一般在800～1200℃ ，它取决于沉积物的特性。 近10年发展起来的等离子体增强化学气相沉积（PCVD）和等离子体辅助化学气相沉积（PACVD） ，可降低沉积温度 。 常规的CVD促使其化学反应的能量来源是热源，而等离子体CVD除热能外，还借助外部电场作用引起放电，所产生的等离子体激活气体分子，促进化学反应. 等离子是离子、电子、中性原子和分子的集合体。 在等离子体中，粒子的运动受电磁相互作用支配，大量的能量可以存储在等离子体粒子的内能中。正因为等离子体的较高的能量，所以可以在较低的温度下激发化