第3章门电路(改)解析：.ppt

4.异或门 若A、B同时为高电平，T6、T9导通，T8截止，输出低电平；A、B同时为低电平，T4、T5同时截止，使T7、T9导通，T8截止，输出也为低电平。 A、B不同时，T1正向饱和导通，T6截止；T4、T5中必有一个导通，从而使T7截止。T6、T7同时截止，使得T8导通，T9截止，输出为高电平。 74LS86 二.集电极开路门（OC门） 为什么需要OC门？ 普通与非门输出不能 直接连在一起实现“线与”！ 1 0 产生一个很大的电流 A B Y C D 集电极悬空 A B Y OC门输出端可直接连接实现线与。 VCC VIL VIL VIL RL RL的选择： IOH IIH n个 m个 VOH 负载门输入端个数 VIH VIL VIL VCC RL VOL m′个 IOL IIL 负载门个数 由于与非门的输入端为多发射极，当前一级门输出低电平时，负载门只要一个输入端为低电平，T2、T5就截止。 若为或非门，m′是输入端的个数，而不是负载门的数目。 例3.5.5 三. 三态门 （TS门) 三态输出门(Three-State Output Gate)是在普通门电路的基础上附加控制电路而构成的。 EN A Y B EN ′ A Y B 0 截 止 1 导 通 截止 截止 高阻态 3.3 CMOS门电路 §3.3.1 MOS管的开关特性 在CMOS集成电路中，以金属－氧化物－半导体场效应管（MOS管)作为开关器件。 一、MOS管的结构和工作原理 P N N G S D 金属铝 两个N区 SiO2绝缘层 P型衬底 导电沟道 G S D N沟道增强型 源极 栅极 漏极 vGS=0时 P N N G S D vGS vDS iD=0 D、S间相当于两个背靠背的PN结 S D B 不论D、S间有无电压，均无法导通，不能导电。 P N N G S D VDS VGS vGS0时 vGS足够大时（vGSVGS(th)），形成电场G—B,把衬底中的电子吸引到上表面，除复合外，剩余的电子在上表面形成了N型层（反型层）为D、S间的导通提供了通道。 VGS(th)称为阈值电压(开启电压） 源极与衬底接在一起 N沟道 可以通过改变vGS的大小来控制iD的大小。 二、MOS管的输入、输出特性 对于共源极接法的电路，栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为零。 输出特性曲线 （漏极特性曲线） 夹断区（截止区） 用途：做无触点的、断开状态的电子开关。 条件：整个沟道都夹断 特点： 可变电阻区 特点:(1)当vGS 为定值时,iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，且其阻值受 vGS 控制。 （2）管压降vDS 很小。 用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。 条件：源端与漏端沟道都不夹断 恒流区： (又称饱和区或放大区） 特点:(1)受控性： 输入电压vGS控制输出电流 (2)恒流性：输出电流iD 基本上不受输出电压vDS的影响。 条件:(1)源端沟道未夹断 (2)漏端沟道予夹断 用途:可做放大器和恒流源。 三、MOS管的基本开关电路 当vI=vGSVGS(th)时，MOS管工作在截止区。D-S间相当于断开的开关，vO≈vDD. 当vIVGS(th)且vI继续升高时，MOS管工作在可变电阻区。MOS管导通内阻RON很小，D-S间相当于闭合的开关,vO≈0。 四、MOS管的四种基本类型 G S D N 沟道耗尽型 G S D N沟道增强型 G S D P 沟道增强型 G S D P 沟道耗尽型 在数字电路中，多采用增强型。 §3.3.2 CMOS反相器工作原理 PMOS管 NMOS管 CMOS电路 VDD T1 T2 vI vO 一、电路结构 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管(意为互补)。 VDD TP TN vI vO vI=0 截止 vo=“１” 导 通 vI=1 VDD T1 T2 vI vO 导通 vo=“０” 截止 静态下，无论vI是高电平还是低电平，T1、T2总有 一个截止，因此CMOS反相器的静态功耗极小。 二、电压传输特性和电流传输特性 电 压 传 输 特 性 阈值电压VTH T1导通T2截止 T2导通T1截止 T1T2同时导通 电 流 传 输 特 性 T2截止 T1截止 CMOS反相器 在使用时应尽