第10章_辐射式测温解析：.ppt

1. 光敏电阻(LDR) When LDR was exposed to light, it got a lower resistance value, the phenomenon is called Internal photoelectric effect(内光电效应) (当光敏电阻受到光照时， 阻值减小。) Demo of LDR 当光敏电阻(LDR)受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 2. 光敏二极管 将光敏二极管的PN 结设置在透明管壳顶部的正下方，光照射到光敏二极管的PN结时，电子-空穴对数量增加，光电流（light current）与照度（illumination intensity) 成正比。 不同的外部形式的光敏二极管  光敏二极管的反向偏置接法 在没有光照时，由于二极管反向偏置，所以反向电流很小，这时的电流称为暗电流，相当于普通二极管的反向饱和漏电流。 当光照射在二极管的PN结（又称耗尽层）上时，在PN结附近产生的电子-空穴对数量也随之增加，光电流也相应增大，光电流与照度成正比。 演示的反向偏压连接光敏二极管和光电特性 在没有光照时，由于二极管反向偏置，反向电流（暗电流）很小。 3. Photosensitive Triode(光敏三极管) 光敏三极管有两个PN结。与普通三极管相似，有电流增益，灵敏度比光敏二极管高。多数光敏三极管的基极没有引出线，只有正负（c、e）两个引脚，所以其外型与光敏二极管相似，从外观上很难区别。) External forms of Photosensitive Triodes (光敏三极管外形 ) Internal structure of Photosensitive Triodes (光敏三极管内部结构) a)?internal structure b)管芯结构 c）结构简化图 1—pin of collector junction(集电极引脚) 7—N-type collector region (N型集电区) 2—管芯 8—SiO2保护圈 3—shell(外壳) 9—collector junction(集电结) 4—collecting glass mirror(玻璃聚光镜) 10—P-type base region (P型基区) 5—pin of emitter junction(发射极引脚) 11—(N-type emitter region) N型发射区 6—N+ substrate (N+衬底) 12—emitter junction(发射结) Photoelectric characteristic photocurrent (光电流) 4.Photoelectric component（光电元件)based on photovoltaic effect （光生伏特效应） ——photocell(光电池) 在N型衬底(substrate) 上制造一薄层P型层作为光照敏感面，就构成最简单的光电池。当入射光子(incident photon) 的能量足够大时，P型区每吸收一个光子就产生一对光生电子—空穴对， 光生电子—空穴对的的扩散运动使电子通过漂移运动被拉到N型区，空穴留在P区，所以N区带负电，P区带正电。如果光照是连续的，经短暂的时间，PN结两侧就有一个稳定的光生电动势输出。 External forms of photocells 能提供较大电流的大面积光电池外形 Other photocells and Application in illumination intensity measuring (其他光电池及在照度测量中的应用) Photocell ---Application in power-related field(光电池在动力方面的应用) Photocell ---Ap