第14章薄膜制备技术解析：.pptVIP

CVD反应室结构 电化学沉积设备简图1.恒流电源；2.恒温水浴箱；3.电沉积槽； 4.阳极（锌片）； 5.阴极（ITO玻璃）；6.电沉积溶液；7.恒温水 14.6.3 微波等离子体增强CVD 图11.47至图11.50示出衬底表面吸附氢原子产生的单悬键吸附若干典型甲烷 及其中间态分子和发生脱氢、键合等反应。 14.6 化学气相沉积(CVD) 14.6.3 微波等离子体增强CVD 14.6.3 微波等离子体增强CVD 稀释气体H2对CVD金刚石多晶膜的生长起重要作用： 1.氢原子与碳形成的甲烷中，使得碳原子在金刚石亚稳区保持sp3型杂化状态，其驰豫时间足够达到固相基片表面。 2.氢原子同甲烷可以形成多种中间态的气相分子和集团，促使碳－氢键松动，又使碳原子处于或趋于sp3型及其过渡型的杂化状态，其驰豫时间足够达到固相基片表面。 14.6 化学气相沉积(CVD) 14.6.3 微波等离子体增强CVD 3.氢原子同固相基片表面形成吸附层，降低气相碳源－固相基片的界面能，有利于固相基片表面吸附气相碳源，加速气相碳源脱氢和碳原子从气相—固相的转变。 4.氢原子实际上成了输送具有sp3型及其过渡型杂化状态的碳原子到气相－固相碳原子的悬键或带氢原子的松动键上脱氢、键合、成核、长大。 5.氢原子同非金刚石结构的固相碳(如石墨)和气相碳(如多碳烃)转化为甲烷，增大气相碳的浓度。 14.6 化学气相沉积(CVD) 14.6.3 微波等离子体增强CVD 金刚石具体生长条件一般为： 温度：700－1000℃ 压力：几个－几十个Pa 功率：几百－几千VA 时间：视膜厚而定 检测：X-射线，SEM，Raman，等 14.6 化学气相沉积(CVD) 微米金刚石薄膜 纳米金刚石薄膜 MPECVD法生长的光学级金刚石膜 14.6.4 射频等离子体增强CVD 射频等离子体增强化学气相沉积(RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, RPECVD)，是PECVD的一种。它是将射频能量作为CVD 过程能量供给方式的一种CVD工艺，利用射频能量使反应气体等离子化。 应用目标： 太阳电池 制备方法： RF-PECVD (13.56MHz) VHF-PECVD (10-4100MHz) 衬底：玻璃，单晶Si片 气源：SiH4，H2 制备了本征、B掺杂、P掺杂 nc-Si:H, ?c-Si:H 薄膜 14.6 化学气相沉积(CVD) 14.6.4 射频等离子体增强CVD 该系统由进样室、沉积室、气路及气路控制系统、电源系统、真空系统等组成。 辉光放电等离子体由射频电源(RF，13.56MHz)或甚高频电源(VHF，13.56~100MHz)激励产生。电子在高频电场中被加速并与原子或分子碰撞，使原子或分子在碰撞过程中裂解。当反应气体为SiH4+H2时，SiH4与电子碰撞离解为SiH3、SiH2、SiH等基团，这些基团在衬底表面发生反应并沉积出Si膜。 14.6 化学气相沉积(CVD) 玻璃衬底 硅片衬底 多晶Si薄膜 14.6.5 金属有机化学气相沉积(MOCVD)[2] MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition)又称为金属有机化合物气相外延(metalorganic vapor phase epitaxy, MOVPE)，是20世纪60年代末期发展期来的利用金属有机化合物进行金属输运的一种化合物半导体气相外延技术。与MBE相比，MOVPE更适合于批量生产。 气相外延(vapor phase epitaxy, VPE)是将含有组成外延层元素的气态化合物输运至衬底上，进行化学反应而获得单晶层的方法。与液相外延(liquid phase epitaxy, LPE)相对应。 14.6 化学气相沉积(CVD) 14.6.5 金属有机化学气相沉积(MOCVD) MOVPE技术由于能在纳米尺度上精确控制外延