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苏州科技学院本科生毕业论文
课题名称：镍薄膜制备与性能研究
院系名称：数理学院
班 级：应物1122班
学 号：1120112226
学生姓名：齐栋宇
指导教师：程新利
2015 年 5 月
镍薄膜制备与性能研究
摘 要
本文使用磁控溅射设备在n型硅基片上制备镍薄膜，研究不同工作气压（1Pa、1,5Pa、2Pa）对辉光放电、薄膜生长速率以及薄膜表面形貌与粗糙度的影响。结果表明，工作气压的变化对镍薄膜生长速率影响较大，1Pa工作气压条件下，镍薄膜生长速率较快，2Pa次之。使用低压化学气相沉积设备对镍薄膜样品进行退火处理，分析样品经退火处理后各项特性的改变。实验结果分析表明，样品经退火后表面形貌改变较大，变得更加粗糙。样品经退火后各项特性的改变不仅与退火温度有关与薄膜厚度也有关系。
关键词 磁控溅射；镍薄膜；表面形貌；粗糙度；退火
The?preparation?and?characterization?of nickel thin film
Abstract
In this paper, nickel thin film was produced onto n-type Si substrates by megnetron sputtering device, and the influence on glow discharge, growth rate, surface topography and roughness caused by different working air pressure(1Pa, 1,5Pa, 2Pa) has been investigated. The result turns out that the change of working air pressure has a great influence on the growth rate of nickel film. Under the working pressure of 1Pa, the growth rate of Ni film is faster, then 2Pa. Samples were annealed by using LPCVD device, and changes on functional characteristics of samples after annealing have been analyzed. The experimental result shows that the surface topography of samples have been changed significantly and the roughness has become larger after annealing. The characteristics of the sample after annealing are not only related to the annealing temperature but also to the thickness of the film.
Key words magnetron sputtering; nickel thin film; surface topography; roughness; anneal
目录
第1章 绪论 1
1.1 引言 1
1.2 Si的基本性质 2
1.3 Ni的基本性质 2
第2章 实验仪器介绍及原理说明 3
2.1 磁控溅射设备 3
2.1.1 溅射镀膜设计原理 3
2.1.2 磁控溅射 4
2.2 LPCVD设备 4
2.3 探针式表面轮廓仪 5
2.4 原子力显微镜 6
2.6 半导体分析系统 7
2.7 金相显微镜 7
第3章 金属与半导体接触 8
3.1 金半接触 8
3.2 金属硅化物 8
第4章 实验 9
4.1 实验目的 9
4.2 实验设备以及材料 9
4.3 实验内容 9
4.3.1 基片前处理 9
4.3.2 薄膜的制备 10
4.3.3 退火处理 11
第5章 实验结果及分析 12
5.1 不同工作气压下辉光的区别 12
5.2 不同工作气压对薄膜生长速率的影响 13
5.3 薄膜表面形貌与粗糙度分析 16
5.3.1 不同工作气压下薄膜的表面形貌与粗糙度 17
5.3.1 退火处理对薄膜表面的影响 22
5.4 退火处理对样品U-I特性的影响 24
结 论 26
致 谢 28
参 考 文 献 29
附录A 译文 30
附录B 外文原文 36
第1章 绪论
1.1 引言
目前，随着半导体和微电子行业的蓬勃发展，薄膜科技与技
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