数字电路第三章教案分析.pptVIP

带缓冲级的CMOS与非门 A B AB A+B VDD A Y B 3.5.4 CMOS逻辑门 TP′ TN VDD A Y ≥1 TP EN CMOS三态门 TP′ TN′ TN VDD A Y 1 TP EN 3.5.4 CMOS逻辑门 CMOS三态门和CMOS漏极开路门 VDD A Y TG EN 1 VDD A RL 1 B VDD 3.5.4 CMOS逻辑门 CMOS逻辑门主要系列 CD4000系列（CD4000,MC14000等） 54HC/74HC系列（MC 54HC/74HC） 26 6 9 2~6 54HC/74HC系列 3 80 90 3~18 CC4000系列 最高工作频率(MHz) 边沿时间 （nS） 传输延迟 （nS） 电源电压 （V） 系 列 CMOS门性能 3.5.4 CMOS逻辑门 CMOS器件使用注意 1.器件存放、拿取、运输、装配、调试时应当采取必要的静电防护措施，输入端不允许悬空 2.电路加必要的过流保护 3.防止锁定效应(CMOS制作保护二极管时形成的寄生三极管，构成反馈电路使电流迅速增大到最大值，只能切断电源才能制止，称为锁定效应或可控硅效应) 3.5.4 CMOS逻辑门 VNH VNL 5 1.5 1.0 0.008 0.001 8 +5 高速CMOS 15 9.0 6.5 0.180 0.015 12 +15 VDD=15V 5 3.4 2.2 0.255 0.005 45 +5 VDD=5V CMOS 0.8 0.13 0.135 30 40 0.75 －4.5 CE100K系列 0.8 0.125 0.135 50 25 2 －5.2 CE10K系列 ECL 13 7.5 7 2550 30 85 +15 HTL 3.5 0.5 0.4 15 2 7.5 +5 CT54LS/74LS 3.5 2.2 1.2 150 15 10 +5 CT54/74 TTL 输出逻辑摆幅 (V) 直流噪声 容限(V) 功耗－延迟积 (pJ) 静态功耗 (mW) 传输延迟时间 (nS) 电源电压 (V) 电 路 类 型 各类数字集成电路主要性能比较 2100 2100 2100 A B Y＝1 100W A B Y＝ 10kW “1” “0” TTL与非门外接电阻Ri对电路工作的影响 将TTL与非门换成TTL或非门，其输出又如何？ 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 TTL与非门外接电阻Ri对电路工作的影响 将TTL与非门换成TTL或非门，电阻在输入端的等效作用没变，但输出变了 A B Y＝ ≥1 100W A B Y＝0 ≥1 10kW “1” “0” 输出特性 vo(V) io(mA) 0 1 20 2 3 40 40 20 关态时 带拉电流负载能力较弱 开态时 带灌电流负载能力稍强 扇出系数NO：输出端最多能带同类门的个数，它规定了TTL与非门的最大负载容限 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 平均延迟时间 tpHL tpLH 平均延迟时间反映了TTL门的瞬态开关特性，主要说明了它的工作速度 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 电源特性 电路处于稳定开态时的空载导通功耗 PL＝IELVCC＝(iR1+iR2)VCC 电路处于稳定关态时的空载截止功耗 PH＝IEHVCC＝iR1VCC 与非门的空载平均功耗 P＝( PH +PL) ∕ 2 电路从开态向关态转换时， T1 、 T2 、 T3 、 D4 、 T4 同时处于导通的瞬间， R1 、 R2 、 R4上均流过电流，电流出现瞬时峰值，使电源在一个工作周期中的平均功耗增加 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 TTL与非门的主要参数 输出逻辑电平 开门电阻 开门电平 关门电阻 关门电平 扇出系数 阈值电平 平均延迟时间 噪声容限 空载导通功耗 输入短路电流 空载截止功耗 输入漏电流 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 3.2.3 其它逻辑功能TTL门 或非门 VCC T2 T1 T4 T3 D4 A B Y T1′ T2′ A B A+B A+B =A+B 3.2.3 其它逻辑功能TTL门 异或门 VCC T2 T1 A T9 T8 D Y B T4 T3 T5 T6 T7 A