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3.1 概 述 一、门电路的作用和常用类型 二、高电平和低电平的含义 3.3　TTL 集成逻辑门电路 一、TTL 与非门 EXIT 逻辑门电路 EXIT 主要要求： 了解逻辑门电路的作用和常用类型。 理解高电平信号和低电平信号的含义。 第 3 章　逻辑门电路 TTL 即 Transistor-Transistor Logic CMOS 即 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 按功能特点不同分 普通门 (推拉式输出) CMOS 传输门 输出 开路门 三态门 门电路 (Gate Circuit) 指用以实现基本逻辑关系和 常用复合逻辑关系的电子电路。 是构成数字电路的基本单元之一 按逻辑功能不同分 与门 或门 非门 异或门 与非门 或非门 与或非门 按电路结构不同分 TTL 集成门电路 CMOS 集成门电路 　　输入端和输出端都用三极管的逻辑门电路。 　　用互补对称 MOS 管构成的逻辑门电路。 高电平和低电平为某规定范围的电位值，而非一固定值。 高电平信号是多大的信号？低电平信号又是多大的信号？ 1 0 高电平 低电平 正逻辑体制 0 1 高电平 低电平 负逻辑体制 iB 愈大于 IB(Sat) ， 则饱和愈深。 注意：饱和后 iC 基本上为恒值， UCE(Sat) 0.3V。 开关工作的条件 截止条件 饱和条件 uBE ＜ Uth iB ＞ IB(Sat) 可靠截止条件为 uBE ≤ 0 三极管作为开关使用时必须工作在截止区和饱和区。 截止区相当于开关断开；饱和区相当于开关闭合。 C E B SBD B C E 在普通三极管的基极和集电极之间并接一个肖特基势垒二极管(简称 SBD) 。 B C SBD 抗饱和三极管的开关速度高 抗饱和三极管简介 SBD 的两大优势： （1）SBD导通电压只有 0.4 V 而非 0.7 V，因此 UBC = 0.4 V 时，SBD 便导通，使UBC 钳在 0.4 V 上，降低了饱和深度。 （2）SBD没有电荷存储效应，其开关时间可忽略。 主要要求： 了解 TTL 与非门的电路组成、工作原理、 主要应用，掌握其使用特性。 了解其它功能的TTL门电路的逻辑功能、主要应用。 (一) TTL 与非门的工作原理 输入级 中间级 输出级 CT74S系列与非门电路 1、电路结构 　　RB、RC 和V6 所构成的 有源泄放电路的作用是提高 开关速度，它们不影响与非 门的逻辑功能，因此下面分 析中不予考虑。 2、工作原理 0.3 V 3.6 V 3.6 V 输入端有一个或数个为 低电平时，输出高电平。 输入低电平端对应的发射结导通，uB1= 0.7 V + 0.3 V = 1 V V1管其他发射结因反偏而截止。 因为抗饱和三极管 V1的集电结导通电压为 0.4 V，而 V2、V5 发射结导通电压为 0.7 V，因此要使 V1 集电结和 V2、V5 发射结导通，必须 uB1 ≥ 1.8 V。 这时 V2、V5 截止。 1 V 2、工作原理 0.3 V 3.6 V 3.6 V 输入端有一个或数个为 低电平时，输出高电平。 输入低电平端对应的发射结导通，uB1= 0.7 V + 0.3 V = 1 V V1管其他发射结因反偏而截止。 这时 V2、V5 截止。 截止 截止 uC2 ? VCC = 5 V， 5 V V3 、V4 导通。 导通 导通 uO = 5V - 0.7 V - 0.7 V = 3.6 V。 因此，输入有低电平时，输出为高电平。 1 V 2、工作原理 输入均为高电平时，输出低电平。 3.6 V 3.6 V 3.6 V 因此，V1 发射结反偏而集电极正偏，处于倒置状态。 1.8 V 倒置放大 VCC 经 R1 使 V1 集电结和 V2、V5 发射结导通，使uB1 = 1.8 V。 这时 V2、V5 饱和。 饱 和 饱和 1 V 使 V3 导通，而 V4 截止。 截止 导通 uO = UCE5(sat) ? 0.3 V uC2 = UCE2(sat) + uBE5 = 0.3 V + 0.7 V = 1 V 因此，输入均为高电平时，输出为低电平。 综上所述,该电路实现了与非逻辑功能,即 2、工作原理 注意：输入端悬空相当于输入高电平。 (二) TTL 与非门的使用特性 1.输出高电平和输出低电平 （1）输出高电平UOH。当与非门输入端有低电平UIL