微连接-第1章教案分析.pptVIP

焊接结构组组内报告 微电子封装与组装可靠性与测试 哈尔滨理工大学材料学院 材料成型与控制系 主要内容 第一章 电子产品制造中的微连接技术 第二章 微连接技术的学科基础 第三章 微电子封装与组装用材料 第四章 影响微连接可靠性的缺陷 第五章 可靠性试验方法和标准 第六章 微电子封装与组装焊点可靠性评价 第一章 电子产品制造中的微连接技术 1. 集成电路芯片制作 直拉法制作单晶： 1）将硅的小块放入石英坩埚 中，加热到硅的熔点 1415℃； 2）把一个单晶硅的籽晶夹 持在旋转轴的一端，并使 轴下降并使籽晶接触到熔 融的硅的表面。 3）将轴和坩埚向相反方向旋 转，同时把籽晶拉离熔融 的硅，就会在籽晶/熔融 硅界面处形成和籽晶结构 完全相同的硅晶体。 生长n型或p型晶体： 在熔融硅中加入少量杂质（掺杂剂）： 1）磷、锑、砷----n型半导体晶体； 2）硼----p型半导体晶体。 2. 圆片上集成电路制造 2）光刻： 把代表集成电路的单元构件通过光掩膜和刻蚀转移到圆片上。 3）外延生长： 硅片表面---化学气相沉积方法一层很薄的硅（约25微米）---获得p-n节的技术。 基本步骤: 将硅片放入惰性气体反应室，加热到相应的温度——将反应剂气体以特定的流速导入冲击到硅片表面——反应剂被圆片吸收，通过与圆片发生化学反应生长外延层——把掺杂剂气体导入反应室，与外延层结合生成n型或p型材料。 4）金属化： 沉积一层或多层导电材料形成芯片表面键合区-- 以便形成芯片与外电路之间的互连。 铝、Cu、铂、钛、钨、钼和金可用于金属化工艺。 铝使用最广泛: 与硅以及二氧化硅的接触电阻小，沸点低、容易 实现沉积。 a) 化学气相沉积（CVD）：W 5）钝化： 键合区之外气相沉积并形成SiO2或氮化硅钝化层– 保护铝互连电路--免受潮气和污染影响。 6）背面研磨： 减薄圆片以适应封装高度。 7）背面金属化： 真空蒸发或溅射在芯片背面形成金膜--与芯片粘接区实现 电连接---或通过共晶键合到陶瓷基板 8）电性能测试： 测试探针与圆片表面焊盘接触，可以测试芯片的电特性。 9）芯片切割： 圆片分割并分离成单个的芯片。 3. 集成电路（IC）芯片封装（一级封装） 封装必须满足： 1）电学（静电放电破坏）指标； 2）热学（功率耗散）指标； 3）质量、可靠性(机械应力、环境应力 潮气）指标; 4）成本控制指标。 3.1 IC 组装工艺－芯片到封装的互连 1) 芯片粘接: 将芯片背面机械地粘接到层压陶瓷或层压基板腔室内的芯片粘接区 方式1－金属合金键合： 材料：AuSi共晶、AuSn共晶或软钎料；用于陶瓷封装； 优点：良好的剪切强度、界面导热性和防潮性； 缺点：工艺温度较高，会对芯片引入较大的热应力。 方式2－有机粘接： 材料：环氧树脂、聚酰亚胺浆料；用于陶瓷和塑料封装； 优点：环氧树脂固化温度低，可用于粘接大芯片。 方式3－无机粘接： 材料：填银玻璃，即片状填银环氧粘接剂； 特点：既可导电、降低芯片背面和基板间的电阻，又可导 热，在芯片和封装的支撑物之间提供一条导热通路 b）铝丝(或金丝)的超声楔形－楔形键合 TAB互连方法1  - 带凸点的芯片技术 凸点材料： a) 钎料 单一钎料连接： 高Pb (3Sn97Pb、5Sn95Pb )－陶瓷芯片载体； 低Pb (60Sn40Pb )－有机芯片载体 双钎料连接：高熔点凸点用低熔点钎料连接到芯片载体 C4-Controled Coll