中南大学传感与检测ch9-ch10-磁电和霍尔传感器资料.pptVIP

概述 磁电式传感器是利用电磁感应原理将被测量（如振动、 位移、速度等）转换成电信号的一种传感器，也称电磁感应 传感器。 原理：根据电磁感应定律，当N匝线圈在恒定磁场内运动 时，设穿过线圈的磁通为?，则线圈内会产生感应电动势: e= - Nd?/dt 可见，线圈中感应电势的大小与线圈匝数和穿过线圈的磁通变化率有关。 一般情况下，匝数固定，磁通变化率与磁场强度B、磁路磁阻Rm、线圈的运动速度v有关；改变其中任一参数，都会改变线圈中的感应电势。 分类：按结构方式不同，分为动圈式和磁阻式两大类。 9. 磁电式传感器 9.1 动圈式磁电传感器 动圈式磁电传感器又可分为线速度型与角速度型。 1）线速度型传感器工作原理 如图所示，在永久磁铁产生的磁感应强度为B的直流磁场内，放置一可动线圈，当线圈沿垂直磁场的方向以相对磁场的速度v直线运动时，它产生的感应电动势为： e=-NBlv 式中，N—线圈匝数； l—单匝线圈的有效长度。 上式表明，当B, N和l 恒定不变 时，可根据感应电动势e的大小计算 出被测线速度v的大小。 9. 磁电式传感器 9.1 动圈式磁电传感器 2）角速度型传感器工作原理 如图所示，线圈在磁场中以角速度?旋转时产生的感应电动势为： e= - kNBS? 式中, S—单匝线圈的截面积； k—与结构有关的系数，k1。 上式表明，当传感器结构确定后， N、B、S和k皆恒定不变，可根据感应 电势大小确定被测量? 。故这种传感器常用于转速测量。 需注意的是在上两式中的v、?指的是线圈与磁铁的相对速度，不是磁铁的绝对速度。 9. 磁电式传感器 9.2 磁阻式磁电传感器 1）基本原理 与动圈式磁电传感器不同，磁阻式磁电传感器工作时，其线圈与磁铁部分是相对静止的，由与被测量连结的物体（导磁材料）的运动来改变磁路的磁阻，因而改变贯穿线圈的磁通量，在线圈中产生感应电势。 2）应用 磁阻式磁电传感器一般常用于测量转速、偏心、振动等，产生感应电动势的频率作为输出，而电势的频率取决于磁通变化的频率。 下图a、b、c可测旋转物体的角频率，在圆轮旋转时，圆轮上的凸处的位置发生变化，引起磁路中磁阻变化，从而引起贯穿线圈的磁通量发生变化，产生交变电势。 9. 磁电式传感器 9.2 磁阻式磁电传感器 2）应用 被测体转动时线圈产生的交变电势频率：f =n/60=?/(2?) 式中， f —感应电势频率（周/秒）；? —圆轮的角速度； n —圆轮的转速（转/分）。 测量线圈产生的电势频率，可得其转速。 9. 磁电式传感器 9.3 磁电式传感器的测量电路 磁电式传感器直接输出感应电势，且传感器通常有较高的灵敏度，所以一般不需高增益放大器。但磁电式传感器是速度传感器，若要获取被测位移或加速度，需要配积分或微分电路。下图为一般测量电路方框图。其中虚线框内整形及微分部分电路仅用于以频率作为输出时。 10. 霍尔式传感器 概述 霍耳效应于1870年代发现。但因其十分微弱，以致其很长一段时间都没进入实用。1950年代末，随着三、五价化合物半导体材料的开发，才找到了电子迁移率非常大的新材料[如：锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）、砷化镓（GaAs）等]，成为霍耳器件制造所必需的材料，使霍耳器件得以广泛应用。随着导体工艺的飞速发展，霍耳器件的水平也大大提高，已发展到单晶、多晶薄膜化和硅霍耳集成化阶段。 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种磁敏传感器。目前磁敏器件种类较多，不同材料制作的磁敏器件，其工作原理与特性也不相同。随着新的磁特性或磁现象的发现，以及功能材料和IC技术的发展，除了集成霍尔器件和集成磁阻器件外，还出现了基于巨磁阻效应、巨磁阻抗效应的巨磁电阻器件等新型器件。 10.1 霍尔效应与器件 1）霍尔效应 如图所示，在金属或半导体薄片相对两侧面ab通以控制电流I，在薄片垂直方向上施加磁场B，则在垂直于电流和磁场的方向上，即另两侧面cd会产生一个大小与控制电流I和磁场B乘积成正比的电动势UH，这一现象称为霍尔效应。 10. 霍尔式传感器 10.1 霍尔效应 2）产生机理 如上左图所示，垂直于外磁场B的导体通电流I时，定向运动的载流子受磁场的洛伦兹力FL作用，除了做平行于电流方向的定向运动外，还在FL作用下漂移，使薄板内一侧累积电子，另一侧累积正电荷，形成一个内电场，即霍尔电场。 霍尔电场EH的产生使定向运动的电荷除受