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considering we obtain: where: JFET中的噪声 功率密度： 在 的表达式中，第一项代表沟道的热噪声，第二项代表漏电流闪烁噪声，在室温和中频条件下， 表达式中的所有项都可以被忽略，使JFET实际上不含有输入电流噪声，然而，栅极漏电流随温度的增长速度很快，因此在更高温度条件下， 可能不被忽略。 与BJT相比，FET具有更低的 这表明，在类似的工作条件下，FET输入运算放大器比BJT输入具有更高的电压噪声，另外，JFET中的 含有闪烁噪声。 跨导 直流漏极电流 栅极漏电流 栅极和源极之间的电容 MOSFET中的噪声 功率密度： 跨导 沟道的宽度和长度 和JFET的情况类似，在室温的条件下可忽略 ，但它会随着温度的增加而增加。 在 的表达式中，第一项代表沟道电阻的热噪声，第二项代表闪烁噪声，在MOSFET输入运算放大器中，闪烁噪声是主要关注的对象，闪烁噪声与晶体管面积 成反比，因此可用具有大几何尺寸的输入级晶体管来降低这种形式的噪声。 Op Amp噪声 Op Amp噪声可用三个等效噪声源来表征，一个频谱密度为 的电压源，两个密度为 和 的电流源。 和 流经 ，因此： 噪声电流 流经并联组合 他们产生： 噪声电压 ： 总输入频谱密度： 为了对各项的权值有更深入的理解，考虑常用的例子： 此时： 对于具有对称输入端和不相关噪声电流的运算放大器： 其中： 可见： 常被称为短路噪声 常被称为开路噪声 Rms输出噪声： 对于常数GBP运算放大器： 闭环带宽 噪 声 目录 噪声特性 噪声动态特性 噪声源 Op Amp噪声 光电二极管放大器噪声 低噪声Op Amp 一些概念 分类：外部噪声（也称干扰噪声），内部噪声（也称固有噪声） 干扰噪声：由电路和外界之间，甚至是电路自身的不同部分之间多余的相互作用。 预防措施包括：滤波、去耦、隔离、静电和电磁屏蔽、重新定位元件和管脚、采用消声器网络、消除接地回路和采用低噪声供电电源。 固有噪声：源于各种随机现象，例如电阻中电子的热骚动，半导体中电子空穴对随机产生和重组等。 noise can not be eliminated but only be reduced in magnitude, until it no longer causes interference. 一些概念 噪声：通常指任何会污损或干扰所关心信号的不希望的扰动。 信噪比(SNR):表示噪声存在条件下的信号质量。 信号的均方根（rms）值 噪声的均方根（rms）值 对噪声的关注程度最终依赖于应用对性能的要求，随着运算放大器输入失调误差性能的巨大改善，以及A-D和D-A转换器分辨率的很大提高，噪声在高性能系统的误差预算分析中成为越来越重要的因素。 例： 12位ADC，当最大标定值为10V时。在实际环境中，由传感器产生的信号要求得到相当大的放大，以达到10V的最大标定值，设典型的满刻度传感器输出为10mV，1/2LSB等于1.22uV，如果放大器仅产生1uV的输入参考噪声，就会使LSB分辨率失效。 噪声特性： Rms值（均方根值）： 均方值 波峰因数（CF）：噪声的峰值与噪声的rms值的比值。 CF1 32% CF2 4.6% CF3 0.27% CF3.3 0.1% 通常取高斯噪声的峰峰值为rms值的6.6倍，因为瞬间值在99.9%的时间范围内都会在这个范围内。 物理意义：1Ω电阻中 消耗的平均功率。 虽然原则上所有CF的取值都有可能，但是 在超出某一给定X后的概率随着X的增加而迅速降低。 高斯噪声： 噪声的求和： 已知两个噪声源 和 ，它们和的均方值： 若 和 不相关，则： 所以： 表明：如果源的强度是不均衡的，为了使噪声最小，应主要减小强度较大的噪声源。 例： 对于噪声源 和 ， ， 求和： 如果将 减小 ： 与完全消除次要噪声源具有相同的作用。 噪声功率依赖于频带宽度和频带在频谱中所处