石墨烯透明导电薄膜教案分析.pptVIP

石墨烯透明导电薄膜 研究背景 透明导电薄膜(TCFs，transparent conducting films)是指在可见光区(λ=380—780nm)有较高的透光率(Tavg大于80%)，并且具有优良的导电性，电阻率可以达到10^-5Ω·m 以下的薄膜材料。 目前研究和应用最广泛的是金属氧化物透明导电薄膜(TCO) ，主要有 Sn2O、In2O3和ZnO基三大体系，其中以In2O3∶Sn (ITO)、Sn2O∶F(FTO)和ZnO∶Al(ZAO)最具代表性，这些薄膜具有有高载流子浓度(10^18～10^21cm^-3)和低电阻率(10^-4～10^-3Ω·cm)，且可见光透射率达80%～90% ，已被广泛应用于平面显示、建筑和太阳光伏能源系统中。 铟锡氧化物(ITO)由于其高电导率和高透光率，已经成为透明导电薄膜的主要材料。然而ITO在使用过程中也存在一些缺点，包括:(1)铟的价 格持续上涨，使得ITO成为日益昂贵的材料,(2)ITO脆的性质使其不能满足一些新应用(例如可弯曲的LCD、有机太阳能电池)的性能要求，(3)ITO的制备方法(例如喷镀、蒸发、脉冲激光沉积、电镀)费用高昂。 自2004年第一次制备得到独立的单层石墨烯以来，吸引了众多科学家对石墨烯的研究，石墨烯已经成为材料及凝聚态物理领域一颗闪耀的新星。 石墨烯是一种零带隙的物质,其价带和导带相交于费米能级处，具有独特的电子和机械性能。在电子器件中,石墨烯具有传统材料不可比拟的优点:第一，石墨烯有完美的杂化结构，大的共轭体系使其电子传输能力很强，而且合成石墨烯的原料可以是天然石墨，层状石墨烯的提纯相比碳纳米管成本低很多; 第二，石墨烯中的电子和空穴相互分离，电子在石墨烯中的传输阻力很小，迁移率能达到光速的1/300，能大大提高运行处理速度，另外，石墨烯具有高热导性能(～5000W/m·K)，可以很快地散发热量，提高器件的连续运行能力; 第三，在柔性基底应用中，高化学稳定性和强机械性能(拉伸强度和杨氏模量分别可达130GPa和1TPa)方面比传统TCO材料更有优势。 作为透明导电薄膜的制备材料，最受人关注的还是其透光率和导电性问题。Peumans 等预言石墨烯的电阻将低至 62.4/n Ω/sq，而其透光率将达到 100－2.3n(%)(其中n代表层数)。因此石墨烯不论从化学稳定性、柔韧性、导电性、透明性、导热性还是从原料成本方面考虑都被认为是最有前途的透明导电薄膜的材料之一。 石墨烯的光电性能 研究表明石墨烯中电子传导速率高达 8*10^5 m*s^-1。石墨烯中电子传输的阻力很小，可以移动亚微米的距离而不发生散射。研究表明，石墨烯薄层半导体的内禀电子迁移率可 高达200000 cm^2·v^-1·s^-1, 比硅半导体高100倍,比砷化镓高20倍,这使得石墨烯成为一种优异的电子材料。 理想单层石墨烯在白光的照射下不透明度只有(2.3±0.1)% ,反射率是可以忽略不计的(＜0.1 %);在10层的时候反射率上升为约 2% ，不透光度随着薄膜的厚度增加而增加,每层石墨烯增加2.3%的不透光度,如图1所示。 在一般情况下要确保大范围波长领域的透明性 ，载流子的密度越低越好。不过，由于导电率与载流子迁移率和载流子密度的乘积成比例 ,因此如果载流子迁移率不是很高， 那么较小的载流子密度也就意味着导电率较小 ，由于石墨烯的高载流子迁移率使得其成为唯一对于包括中远红外线在内的所有红外线的高透明性导电材料，从而成为下一代透明导电薄膜理想的替代材料。 图 1 单层石墨烯的透射光谱 ; ( 插图) 白光的透性随石墨烯层数的变化 单层石墨烯的制备方法 1.化学合成方法 这种方法主要是以苯环或其他芳香体系为核，通过D-A反应、Pd催化偶合等先合成六苯并蔻，然后在催化剂作用下环化脱氢得到石墨烯。但是这种合成方法反应步骤繁杂，难以合成具有较大平面结构的石墨烯， 反应过程中需要用很多金属催化剂，造成环境污染，并且产率和提纯问题使其成本昂贵，很难大面积生产。之后，研究者报道了用乙醇和钠作为原料，通过溶剂热方法得到克级的石墨烯，大大提高产率，同时也解决了环境污染问题。 2.外延生长法 外延生长法一般是热解SiC，在高温处理过程中硅原子从SiC表面解吸附，碳原子积累形成一个富含碳的表面层。 首先将样品表面经过氧化或者H2刻蚀后在高温高真空下，经电子轰击和高温下除去氧化物，当用俄歇电子能谱监测到氧化物被完全去除后，继续升高温度，形成石墨烯层，其厚度与加热温度有关，并可以通过检测Si的俄歇电子峰强度测定石墨烯的厚度。 总体来说，高真空、高温以及单晶基底这些苛刻条件将限制外延生长法的实际应