离子注入一讲义.pptVIP

浓度分布 由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴” 产生非晶化的剂量 沿100的沟道效应 4.2 注入离子在靶中的分布 沟道效应 表面非晶层对于沟道效应的作用 Boron implant into SiO2 Boron implant into Si 4.2 注入离子在靶中的分布 沟道效应 注入离子的真实分布 真实分布非常复杂，不服从严格的高斯分布 轻离子硼（B）注入到硅中，会有较多的硼离子受到大角度的散射（背散射），会引起在峰值位置与表面一侧有较多的离子堆积；重离子(Sb)将在比峰值位置更远一侧堆积。 实际注入还有更多影响因素，主要有衬底材料、晶向、离子束能量、注入杂质剂量以及入射离子性质等。 4.2 注入离子在靶中的分布 4.3 注入损伤 晶格损伤和无定型层 靶原子在碰撞过程中，获得能量，离开晶格位置，进入间隙，形成间隙－空位缺陷对； 脱离晶格位置的靶原子与其它靶原子碰撞，也可使得被碰靶原子脱离晶格位置。 缺陷的存在使得半导体中载流子的迁移率下降，少子寿命缩短，影响器件性能。 杂质未激活 在注入的离子中，只有少量的离子处在电激活的晶格位置。 注入后发生了什么……… 4.3 注入损伤 晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空位－间隙原子对及其它类型晶格无序的分布。这种因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤。 什么是注入损伤？ (Si)Si?SiI + SiV 4.3 注入损伤 损伤的产生 移位原子：因碰撞而离开晶格位置的原子。 移位阈能Ed：使一个处于平衡位置的原子发生移位，所需的最小能量. (对于硅原子, Ed?15eV) EEd 无位移原子 ??EdE2Ed 有位移原子 ??E2Ed 级联碰撞 注入离子通过碰撞把能量传给靶原子核及其电子的过程，称为能量传递过程 4.3 注入损伤 级联碰撞 简单晶格损伤 孤立的点缺陷或缺陷群（注入离子每次传递给硅原子的能量约等于移位阈能） 局部的非晶区域（单位体积的移位原子数目接近半导体的原子密度） 非晶层 注入离子引起损伤的积累 4.3 注入损伤 轻离子注入 4.3 注入损伤 重离子注入 4.3 注入损伤 非晶化 注入离子引起的晶格损伤有可能使晶体结构完全破坏变为无序的非晶区。 与注入剂量的关系 注入剂量越大，晶格损伤越严重。 临界剂量：使晶格完全无序的剂量。 临界剂量和注入离子的质量有关，随离子质量增加而下降，随靶温增加而上升。 4.3 注入损伤 第二章 氧化-作业 8.某一硅片上面已覆盖有0.2um厚的SiO2层，现需要在1200℃下用干氧氧化法再生长0.1um厚的氧化层，问干氧氧化的时间是（ ）min. 已知：干氧 A=0.04 μ m, B=7.5×10-4 μ m2/min, τ=1.62min 。 * SiO2生长快慢将由氧化剂在SiO2中的扩散速度以及与Si反应速度中较慢的一个因素所决定： 氧化时间长(Thick oxide)，即tτ和t A2/4B时，则SiO2的厚度和时间的关系简化为： 抛物型规律，扩散控制 扩散控制：DSiO2→ 0， Ci → 0， Co → C * 两种极限情况 2.3 硅的热氧化 B ＝2DC*/N1——抛物线速率常数，表示氧化剂扩散流F2的贡献 气体 C0 SiO2 Si ks?0 DSiO2?0 C x Ci * 氧化时间短(thin oxide)，即（t +τ） A2/4B时，则SiO2的厚度和时间的关系简化为 线性规律，反应控制 反应控制：ks→ 0， Ci→ Co= C */（1+ks/h） 两种极限情况 2.3 硅的热氧化 B/A ?C*ks/N1——线性速率常数，表示界面反应流F3的贡献 气体 C0 SiO2 Si ks?0 DSiO2?0 C x Ci * 集成电路工艺原理 * * 第四章 离子注入 4.1 离子注入原理 4.2 注入离子在靶中的分布 4.3 注入损伤 4.4 退火 4.5 离子注入设备与工艺 4.6 离子注入的其他应用 * 两步扩散 第一步 为恒定表面浓度的扩散（Pre-deposition） （称为预沉积或预扩散） 控制掺入的杂质总量 第二步 为有限源的扩散（Drive-in）