科学11-班——物理气相沉积(PVD)讲义.ppt

物理气相沉积技术（PVD) PVD简介 所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体 生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底 蒸汽在衬底表面上凝结，形成薄膜 PVD所需实验条件及实验配置 一、 真空蒸发镀 概念： 真空蒸发镀是将被镀工件放在真空室，并用一定方法加热使镀膜材料（简称膜料）蒸发或升华飞至工件表面凝聚成膜。 * 主要过程： 1、蒸发 2、汽化粒子的输运　（源－基距＜平均自由程） 3、凝聚、生长过程 1、蒸发过程 蒸发速率： Gm＝4.38*10－3PS(Ar/T）0.5 确定材料的饱和蒸汽压PS ，T Gm 确定材料的饱和蒸汽压PS ，Gm T 2、蒸发方式（蒸发源类型） 1、电阻加热蒸发方式 2、电子束加热蒸发方式 3、高频加热蒸发方式 4、激光加热蒸发方式 优点：可用于高熔点膜材，蒸发速率高 3、凝聚、生长过程 表面现象： 被吸附粒子的凝聚、生长过程： 原子表面扩散 ，发生碰撞，形成原子簇团； 原子超过临界值，形成稳定核； 稳定核合并； 晶核长大； 生成连续膜或纳米粒子。 常用蒸发源 电子束蒸发的特点 被蒸发的材料是放在水冷的坩埚中,因而可以避免容器材料的蒸发,不与坩埚材料交叉污染，清洁。 只有小块区域被电子束轰击 - 坩埚内部形成一个虚的“坩埚” - “skulling” 可以制备难熔金属薄膜,如W,Mo,Ge等和氧化物薄膜,如SiO2,Al2O3等.特别是制备高纯度薄膜. 可用于粉末、块状材料的蒸发 –可以比较精确地控制蒸发速率； –电离率比较低 常用蒸发材料形态 4、脉冲激光沉积 用高能聚焦激光束轰击靶材 脉冲激光蒸发的特点 真空蒸发镀工艺 1、一般工艺 镀前准备－抽真空－离子轰击一烘烤一预热一蒸发镀一取件－镀后处理一检测一成品。 2、合金蒸发镀工艺 (蒸汽压不同导致组分偏离) （1）多源同时蒸发法 （2）瞬源同时蒸镀法（闪蒸法） 立式蒸发镀膜机 蒸发镀膜制品 二、 溅射镀 (一）概念 用高能粒子轰击固体表面，通过能量传递使固体的原子或分子逸出表面并沉积在基片或工件表面形成薄膜的方法称为溅射镀膜。 (二）镀膜原理 1.离子束溅射：指真空状态下用离子束轰击靶表面，使溅射出的粒子在基片表面成膜。 2.阴极溅射：利用低压气体的异常辉光放电产生的阳离子，在电极作用下高速冲向阴极（耙材），以致对靶材表面产生非常强烈的溅射作用，并使溅射出的粒子沉积到基片或工件上成膜，是把基片或工件作为阳极。 离子束溅射 溅射过程的物理模型 阴极溅射镀膜原理示意图 1-高压屏蔽 2-高压线 3-基片 4-钟罩 5-阴极屏蔽 6-阴极 （靶材） 阴极溅射主要过程： 膜生成的三大阶段： 1.靶面原子的溅射 2.溅射原子向基片迁移 ★ 粒子的平均自由程，决定了靶面与基板的距离！ 3.成膜粒子向基板入射并沉积成膜 靶面原子的溅射 1.机理 1）高温蒸发 2）弹性碰撞 2.靶材表面原子运动现象 溅射镀膜的优缺点 优点： 1）适用性广 2）粒子能量高：对基片有清洗，升温的作用；薄膜附着力大。 3）薄膜成分易控制 4）可实现工业化 缺点： 1）装置复杂 2）受气氛影响 3）需要制备靶材 4）沉积速度低 5）基片温度高 常用阴极溅射方法 根据电极的结构，电极的相对位置以及溅射镀膜的过程可以分为二极溅射、三极（四极）溅射、磁控溅射、对向靶溅射、离子束溅射、吸气溅射等。 按溅射方式的不同，又可分为直流溅射、射频溅射、偏压溅射和反应溅射等。 DC ( 导电材料 ) RF ( 绝缘介质材料 ) 反应 (氧化物、氮化物) 或不反应 ( 金属 ) JC500-2/D型磁控溅射镀膜机 磁控溅射镀膜制品 离子镀膜原理示意图 （二）常用离子镀膜方法 1、空心阴极离子镀(HCD) 2、多弧离子镀 3、磁控溅射离子镀技术 4、活性反应离子镀 1、空心阴极离子镀(HCD) 过程： 空心阴极离子镀(HCD)装置示意图 2、磁控溅射离子镀技术 磁控溅射技术与离子镀技术相结合的！ 磁控溅射离子镀原理示意图 （三）离子镀的优点：（与蒸发、溅射比较） 电场作用下高能离子对基板轰击作用！ 1.膜层附着力好 2.膜层的密度高 3.绕射性能好（使工件各表面处于电场之中） 4.可镀材质范围广 5.有利于化合物膜层的形成 6.沉积速度高，成膜速度快 三种PVD镀膜机理比较 三种PVD镀膜技术性能比较 小结： 三大过程： 1.膜料分离（蒸发速率、溅射率） 1）气