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第一章 电绝缘陶瓷 一、基本知识 二、典型低介装置瓷 一、概念 用于电子技术、微电子技术和光电子技术中起绝缘、支撑、保护作用的陶瓷装置零件、陶瓷基片以及陶瓷封装等瓷料。 例如：高频绝缘子骨架、电子管底座、电阻器基片、厚薄膜混合集成电路基片、微波集成电路基片等。 二、性能 1 电性能： 介电系数低，?≤10；信号传输延迟时间与 成正比，用于高频电路必须降低ε，提高信号传输速度，减少信号延迟。 介电损耗小，tg?为2×10-4～9×10-3；减少介电损耗，增大品质因素。 抗电强度高≥10kV/mm； 绝缘电阻高＞1012Ω·㎝(20℃)；耐压。 2 机械性能： 抗弯强度高（45～300）MPa 抗拉强度高（400～2000）MPa 3 热性能： 线热膨胀系数小，与硅芯片匹配。 热导率高，散热性能好。 耐热冲击、热稳定性好。 普通电瓷：瓷质绝缘子。如高压电瓷，属长石 硬质瓷。 氧化物 氧化铝瓷：刚玉瓷、刚玉-莫来石瓷、莫来石瓷； 99瓷、95瓷等。 镁质瓷：滑石瓷、镁橄榄瓷、尖晶石瓷、堇青石瓷 非氧化物：氮化铝、氮化硅、氮化硼、金刚石，属高导热瓷。 第二节 典型低介装置瓷 2.1 滑石瓷 2.2 氧化铝瓷 2.3 高热导率陶瓷基片 一、镁质瓷 以滑石瓷为例 1.滑石的结构 滑石瓷分子式：3MgO·4SiO2·H2O 滑石矿为层状结构的镁硅酸盐，属单斜晶系，[SiO4]四面体联结成连续的六方平面网，活性氧离子朝向一边，每两个六方网状层的活性氧离子彼此相对，通过一层水镁氧层联结成复合层。 2.滑石的相变 120-200℃，脱去吸附水 1000℃，脱去结构水，转变为偏硅酸镁 1557℃，再次失去Si，生成镁橄榄石 偏硅酸镁 呈单链状辉石结构，它有三种晶型： 原顽辉石是滑石瓷的主晶相，有少量斜顽辉石。 4. 滑石瓷存在的问题及解决方案 （1）老化（粉化）原因： 防老化措施：用粘度大的玻璃相包裹晶粒，防止相变；抑制晶粒生长；去除游离石英。 （2）开裂原因： 防开裂措施：1300～1350℃高温预烧；热压铸成型。 （3）烧结温区过窄： MgO-Al2O3-SiO2系统的最低共熔点为1335℃，其组成为MgO(20%)、Al2O3(18.3%)、SiO2(61.4%)，与滑石瓷的组成非常接近，故滑石瓷在1350℃左右开始出现液相，并随温度的升高，液相数量急剧增加，使坯体软化、变形、甚至报废。 由于粉料经高温预烧后活性下降，烧结温度过低会出现生烧。因此滑石瓷的烧结温区一般为10～20℃。 扩大烧结温区的措施： 扩展下限： a）提高粉料的活性：粉料细化，降低预烧温度或采用一次配料成瓷； b）加入助熔剂BaCO3：在800℃～950℃出现Ba-Al-Si玻璃，包裹偏硅酸镁晶粒促进烧结； 扩展上限： a）提高玻璃相黏度； b）加入ZrO2、ZnO，使Mg-Al-Si液相黏度大，坯体不易变形。 5.滑石瓷的用途 滑石瓷便宜，但热稳定性差，主要用于制造 绝缘子 线圈骨架 波段开关 管座 电阻基体。 6.其他滑石类瓷简介 （1）镁橄榄石瓷（MgO·SiO2）： “幸福之石”、“太阳的宝石”。 镁橄榄石瓷在高温、高频下介电性能优于滑石瓷； 高温下，绝缘电阻高； 热膨胀系数与Ti-Ag-Cu或Ti-Ni合金相匹配，有利于真空封接； 可作金属膜电阻，碳膜电阻和绕线电阻的基体； 线膨胀系数大，抗热冲击性能差。 镁橄榄石瓷在高温及高频时的电性能 （2）堇青石瓷（2MgO·2Al2O3·5SiO2）： “穷人家的蓝宝石” 线膨胀系数在陶瓷材料中最小； 烧成温度范围很窄（几度）； 材料中离子排列不够紧密，晶格内存在大的空隙，很难烧结； 机电性能差。 二、氧化铝瓷 最初用于汽车火花塞。火花塞工作环境极为恶劣，点火瞬间T上升至3000℃，压力高达4MPa，急冷急热，必须耐热冲击。还要保证绝缘性，耐高电压。机械性能好。 1.氧化铝瓷的分类、性能与用途 （1）分类： 以Al2O3为主要原料，α-Al2O3为主晶相的陶瓷称为氧化铝瓷。 根据氧化铝瓷的含量，将氧化铝瓷分为莫来石瓷、刚玉-莫来石瓷、刚玉瓷，含