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电磁兼容设计 开关电源技术 tqzheng@ * 开关电源电磁兼容性设计 开关电源电磁兼容性设计 一、系统对外界的电磁兼容性 1、抑制尖峰干扰的措施 开关电源电磁兼容性设计 2、新磁芯材料 开关电源电磁兼容性设计 3、比较 开关电源电磁兼容性设计 2、抑制共模干扰 开关电源电磁兼容性设计 开关电源电磁兼容性设计 3、抑制差模干扰 开关电源电磁兼容性设计 4、实际解决方案——共模核差模一起滤除 结构示例 开关电源电磁兼容性设计 4. IGBT主电路和吸收电路的设计要求 为了使IGBT器件工作时开关过程的瞬变尖峰电压不超过l00V,可以按下表要求设计主电路和吸收电路参数。 IGBT额定电流 Ic 15-- 75A >0.2uF <200nH <70nH 100-- 200A >0.8uF <100nH <20nH 300-- 400A >1.6uF <50nH <10nH 600--1000A >3.6uF <50nH <7nH 主电路直流环节滤 波电容至1GBT之 间的引线电感L1 吸收电路各元器件引线电感L2 吸收电路电容 CS 主电路和吸收电路参数推荐表 开关电源电磁兼容性设计 5. 导体形状及布局与电感之间的关系 开关电源电磁兼容性设计 6. 直流支撑电容的连接 开关电源电磁兼容性设计 7. IGBT模块的连接 开关电源电磁兼容性设计 门驱电路 IGBT模块 IGBT模块 吸收电路布置 去支撑电容器 铜空隙 E1, C2 连接 绝缘层 直流母排 + 直流母排 - 为便于观看, 这里铜排厚度有些夸张 吸收元件 9. IGBT模块与吸收电路的连接 开关电源电磁兼容性设计 10. 吸收电路模块 开关电源电磁兼容性设计 11. 分布电感的作用 右图为 “C”型吸收电路关断时电压的典型波形. ? V 1 =L S x di/dt 其中: L S = 引线电感 di/dt = IGTB关断或反并联二极管恢复 di/dt A. 吸收回路电感的作用 开关电源电磁兼容性设计 12. 分布电感的作用之二 B. 直流母排电感的作用 1/2 L B i 2 = 1/2C ? V 2 2 其中: L B = 直流母排寄生电感量 i = 工作电流 C = 吸收电容量 ? V 2 = 吸收回路电压幅值 开关电源电磁兼容性设计 连接示例: 直流电容、IGBT模块、吸收电路、驱动电路 开关电源电磁兼容性设计 控制电路与主电路的电气隔离 1. 电磁耦合隔离; 2. 光耦隔离; 光纤隔离 采用光耦时, 其最小共模抑制比不小于10,000V/?S 开关电源电磁兼容性设计 驱动信号的电磁兼容性设计 1.避免接地回路噪声 开关电源电磁兼容性设计 驱动信号的电磁兼容性设计 2.VGE的箝位 开关电源电磁兼容性设计 驱动信号的电磁兼容性设计 3. 驱动信号线路面积的最小化 开关电源电磁兼容性设计 开关电源电磁兼容性设计 传导干扰与抑制原理 一. 电容性耦合 电容性耦合干扰,是指在干扰源与干扰对象之间存在着耦合的分布电容而产生,干扰量是变化的电场, 即变化的电压du/dt. 两对短传输线平行放置,如图1所示. 导线A接低频正弦交流电压源,未接负载电阻;导线B无屏蔽,接有负载电阻R,未接电压源. 忽略电流所建磁场的感应电场,按电准静态场分析. 与静电场一样,各导体电荷与各导体间电压的关系可用部分电容来表示. CA0与CB0分别为导线A和导线B对地部分的电容,CAB为导线A对电线B间的部分电容. CA0 CB0 CAB A B 0 (a) R CA0 CB0 CAB 0 (b) R 图1 传导干扰与抑制原理 开关电源电磁兼容性设计 一. 电容性耦合 如图1(a)所示,采用向量形式来表示,导线A处电压源为 .其等效电路如图1(b)所示. 于是可得导线A对B的干扰电压为 式中 为角频率. 由上式知, 与 无关. 若 为低电阻值, 即 ,则 传导干扰与抑制原理 开关电源电磁兼容性设计 一. 电容性耦合 若 为高电阻值, 即 ,则 此时电压 与角频率 无关 为耦合电容. 通过 将产生干扰,称为电容性耦合干扰. 减少耦合电容是重要的抑制措施. 常用的措施是电线加电屏蔽,并将屏蔽体接地. 传导干扰与抑制原理 开关电源电磁兼容性设计 若导线B为屏蔽线,并
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